金属・半導体転移を示すf電子系化合物の基底状態

表现出金属-半导体转变的 f 电子化合物的基态

基本信息

批准号：
06740294
负责人：
鈴木孝至
金额：
$ 0.77万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06740294/
关键词：
近藤絶縁体超音波 CeNiSn CePtSn 電気4重極子秩序 UNiSn X線回折

项目摘要

1.CeNiSnにおけるコヒーレントギャップの成因を解明するには、この物質のP電子基底状態の波動関数の情報を得る必要がある。ただし、CeNiSnでは、高濃度近藤効果が強く、直接基底状態の波動関数を決めるのは難しい。そこで、本研究では、CeNiSnとアイソモルファスで、かつP電子が局在しているCePtSnの結晶場分裂した4P電子状態を超音波の実験から決定し、この結果を基にCeNiSnの電子状態を考察した。まず、6つの独立な全ての弾性率C_<11>〜C_<66>温度依存性を測定した。この結果、全ての弾性率に結晶場効果を発見した。歪み感受率による解析を行った結果、CePtSnの結晶場分裂エネルギーおよびP電子の波動関数を決定した。特に、基底状態は、0.03|±5/2〉+0.97|±3/2〉-0.26|±1/2〉と決まり1±3/2が支配的であることが解った。CeNiSnとCePtSnは、結晶構造が同じであるから、CeNiSnの基底状態も|±3/2〉が支配的であることが予想される。最近、三宅等は|±3/2〉基底状態の重要性を指摘している。また、我々のCeNiSnに対する比熱測定の結果は、三宅の予想を支持している様にみえる。従って、本研究からCeNiSnの基底状態は、|±3/2〉で記述できる可能性が高いことが明かにできた。2.UNiSnの5P電子状態を理解するため、超音波実験およびx線回折実験を行った。この結果、以下の事項が解った。UNiSnの5p電子は、よく局在しており結晶場分裂した状態として記述できる。その基底状態は、「_3ノンクラマ-ス二重項である。この物質は、反強磁性転移に結晶構造の変化を伴う。これは、磁性を持つ第1励起状態「_4を起源とする1次の磁気転移にともない「_3の持つ電気4重極子が秩序化して構造変化するためである。

1。为了阐明Cenisn相干差距的原因，有必要获取有关该材料P电子基态波函数的信息。但是，Cenisn具有强大的高浓度临界效应，因此很难直接确定基态的波函数。因此，在这项研究中，通过超声实验确定了Cenisn和同构和P电子的CEPTSN的晶体场4p电子状态，其中cenisn和同构和P电子位置，并根据这些结果检查了Cenisn的电子状态。首先，测量了所有六个独立模量C_ <11> -C_ <66>的温度依赖性。结果，发现了所有弹性模量的晶体场效应。基于应变灵敏度的分析确定了CEPTSN的晶体场分裂能和P电子的波函数。特别是，发现基态为0.03 |±5/2> +0.97 |±3/2> -0.26 |±1/2>，1±3/2占主导地位。由于Cenisn和Ceptsn具有相同的晶体结构，因此预计Cenisn的基态也占|±3/2>。最近，Miyake等。已经指出了|±3/2>基态的重要性。此外，我们针对Cenisn的特定热量测量结果似乎支持了Miyake的预测。因此，这项研究表明，Cenisn的基态可能被描述为|±3/2>。 2。进行超声波和X射线衍射实验，以了解UNISN的5p电子状态。结果，了解了以下几点：UNISN中的5p电子位置良好，可以描述为晶体场分裂状态。它的基态是“ _3非cramasse Doublet”。该材料涉及由于抗铁磁过渡而导致的晶体结构的变化。这是因为“ _3”的电二极管被排序，并且由于第一个具有磁性特性的激发态“ _4”的磁过渡而引起的结构变化。