光熱偏向分光法による非晶質半導体/絶縁体界面の分光学的研究

光热偏转光谱法研究非晶半导体/绝缘体界面

• 批准号: 06750030
• 负责人: 梅津 郁郎
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tokyo University of Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750030/
• 关键词: 非晶質; 半導体; 界面; 光熱偏向分光法

非晶質半導体と絶縁膜の界面はThin Film Transistor(TFT)への応用上非常に重要である。本研究はその界面欠陥密度の測定を光熱偏向(PD)分光法を用いて行ったものである。従来から絶縁層としてはa-SiO_2よりもa-SiN_<1.7>の方がTFT特性が優れていることが経験的に指摘されていたが、その原因についてはほとんど知られていなかった。その原因を追究すべくa-SiO_2/a-Si:H界面とa-SiN_<1.7>/a-Si:H界面の光吸収の測定を行った。その結果a-SiO_2/a-Si:H界面はa-SiN_<1.7>/a-Si:H界面に比べ界面準位が大きいことが判明した。この結果はTFTの動作特性の結果と矛盾しない。そこでさらにこの原因が何に起因しているものかを明らかにするため様々な試料を用意した。そして界面準位が膜の堆積順序に依存する事が明らかになった。筆者はこの堆積順序依存性から界面準位の形成に原料ガスのプラズマが関与しているのではないかと考えた。そこでa-Si:Hの表面にNH_3,N_2O,H_2ガスのプラズマ放電処理を行った。その結果N_2Oガスのプラズマがa-Si:H表面の欠陥密度を増大させる効果があることが明らかになった。これらの結果からa-Si:Hと絶縁膜の界面準位は膜の物性定数の違いが与える影響よりも、a-Si:H上における絶縁膜の初期成長過程が重要であることを示唆した。換言すれば良質なTFTを作製するためには膜の初期成長課程を解明する必要があることがこの研究によって初めて明らかになった。この結果はすでに1994年秋の応用物理学会で報告し1995年春の応用物理学会で続報を行う予定である。

Amorphous "semi-bulk", "film" interface "Thin Film Transistor (TFT)" is very important to use. In this study, the optical bias (PD) spectroscopic method was used to determine the underdensity of the interface. I don't know what to say. I don't know what to say. I don't know what to do. I don't know. I don The reason for this is to investigate the reason for the a-SiO_2/a-Si:H interface, the light absorption measurement of the H interface, the light absorption measurement, the light absorption measurement, the light absorption measurement and the light absorption test. The results showed that the a-SiO_2/a-Si:H interface was larger than that of the interface alignment, and the accuracy of the interface was larger than that of the interface. The results show that the TFT action properties results are contradictory. I don't know what the cause is. I don't know why. I don't know what the reason is. The interface is aligned, the film is stacked, the order is dependent, and the information is clear. The interface alignment is based on the order dependence of the raw materials and materials. The a-Si:H surface is called NH_3,N_2O,H_2. Let go of the row. The results show that the density of the surface of the a-Si:H is low. The results show that the density of the surface is low. The results show that the interface alignment of the a-Si:H film affects the physical properties of the film, and the initial growth process of the film on the a-Si:H is very important. In the early stage of film growth, it is necessary to study the situation in the early years of the TFT. The results of the report of the Society of Physics in the fall of 1994 and the report of the Society of Physics in the spring of 1995.

项目成果

I.Umezu: "Analysis of Joule Heat in a-Si:H Film by Photo-thermal Deflection Spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.33. 5647 (1994)

I.Umezu：“通过光热偏转光谱分析 a-Si:H 薄膜中的焦耳热”Jpn.J.Appl.Phys.33。

K.Maeda: "A Comparative Study on Structural and Electronic Properties of PECVD a-SiOx with a-SiNx" J.Non-Cryst.Solids. (印刷中).

K. Maeda：“PECVD a-SiOx 与 a-SiNx 的结构和电子特性的比较研究”J. Non-Cryst Solids。

K.Maeda: "Mechanism of surface reaction in deposition process of a-Si:H by rf glow discharge" Phys.Rev.B. (印刷中).

K. Maeda：“通过射频辉光放电沉积 a-Si:H 过程中的表面反应机制”Phys.Rev.B（出版中）。

I.Umezu: "Investigation of Surface passivation Effect of a-SiNx:H on a-Si:H by Photothermal Deflection Spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.33. 873 (1994)

I.Umezu：“通过光热偏转光谱研究 a-SiNx:H 对 a-Si:H 的表面钝化效应”Jpn.J.Appl.Phys.33。

I.Umezu: "Optical Bond-gap and Tauc-gap in a-SiOx:H and a-SiNx film" Jpn.J.Appl.Phys.(印刷中).

I. Umezu：“a-SiOx:H 和 a-SiNx 薄膜中的光学键合间隙和 Tauc 间隙”Jpn.J.Appl.Phys（印刷中）。