コリメーションスパッタ法における成膜過程の理論的研究

准直溅射法成膜过程的理论研究

基本信息

  • 批准号:
    06750161
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1994
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1994 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

研究実施計画に従い、軸対称形のコリメーションスパッタ装置のモデルを用いて数値シミュレーションを行い、コリメータの厚さ、コリメータへのスパッタ原子の付着確率、コリメータの位置、及びチャンバー内の放電ガス圧力が、薄膜の均一性、ウェハ上のホールへのカバレジに及ぼす影響を調べた。解析には、筆者の所属する研究グループですでに提案されている手法を用い、またコリメータについては確率モデルを導入して解析を簡単化した。ここでは以下の知見を得た。(1)コリメータの厚みが増すと膜の成長速度は著しく低下するが、均一性はウェハ中心から向上し、カバレジ率のウェハ上の位置に対する依存性も弱まる。また、ホール底面のカバレジ率は顕著に向上するが、側壁面へのそれは悪化してその差は著しく拡大する。(2)コリメータへのスパッタ原子の付着確率の減少は膜成長を速めるが、一方で原子の指向性を弱める働きをするので、ホール底面のカバレジ率は悪化する。なお、付着確率が大きいときにはウェハ端を除いて膜の均一性が維持される。(3)放電ガス圧力の増加はスパッタ原子の拡散を促し、コリメータに期待される効果を弱める働きをするが、一方でこのことは、膜圧分布の不均一性の偏りをなくし、カバレジ率のウェハ上の位置依存性を小さくする。また適当な圧力値で、側面、底面間のバランスの良いカバレジを得ることができる。(4)コリメータをウェハに近づけると、膜の成長速度は若干低下するもののさほど変化しないが、ホール底面のカバレジ率は向上し、ウェハ上の位置依存性は小さくなる。なお、パタ-ニングの問題に関する解析が、筆者の所属する研究グループで本研究と平行して行われており、本研究で用いたコリメータの確率モデルの適用可能条件についても明らかになりつつある。
Study of the implementation plan, axis-to-axis symmetry of the device, the use of parameters, the thickness of the system, the accuracy of the system, the position of the system, and the pressure of the system, the uniformity of the film, the thickness of the system, and the influence of the system. The analysis of this paper is based on the following research methods: The following is a summary of the results. (1)The film thickness increases with the film growth rate decreasing, the uniformity increasing, the film rate increasing and the film position decreasing. The bottom of the wall is facing upward, and the side wall is facing downward. (2)The decrease in the accuracy of the atom's deposition rate, the decrease in the film growth rate, and the decrease in the atomic orientation rate The uniformity of the film is maintained. (3)The increase of the pressure of the film is due to the dispersion of atoms, the weak effect of the film pressure distribution, the bias of the film pressure distribution, and the small position dependence of the film pressure distribution. The appropriate pressure value, the bottom surface, the bottom surface and the middle surface of the bottom surface. (4)The growth rate of the membrane is somewhat lower than that of the substrate, and the position dependence of the substrate is small. The analysis of the issues related to the issue of "" and the research team to which the author belongs are related to the parallel conduct of this research. The accuracy and possible applicable conditions of the data used in this research are clearly stated.

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
長谷川 学: "コリメーションスパッタ法における膜成長及びガバレジの数値解析" 日本機械学会論文集(B編). 60. 2716-2722 (1994)
Manabu Hasekawa:“准直溅射中薄膜生长和覆盖的数值分析”日本机械工程师学会会议记录(B 版)60。2716-2722(1994 年)。
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