Spannungskompensierte (In,Ga)As-Strukturen für Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

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Dieses Projekt behandelt drei Aspekte der Erforschung von unipolaren Lichtemittern basierend auf Intersubband-Übergängen in Halbleiter-Heterostrukturen: Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von Gas-Quellen-Molekularstrahlepitaxie, zweitens die experimentelle Untersuchung des elektronischen Transports in Minibändern von spannungskompensierten Übergittern und drittens die Herstellung und optische Charakterisierung vollständiger Laserstrukturen, die in Zusammenarbeit mit den anderen experimentellen Projekten der Forschergruppe durchgeführt werden. Zwei Materialsysteme sind für die Präparation innerhalb dieses Projektes vorgesehen: spannungskompensiertes (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs. Die primäre Zielstellung für die Transportuntersuchungen ist das Studium des Transports warmer und heißer Elektronen in den Minibändern spannungskompensierter Übergitter. Funktionsfähige Laser werden hergestellt und charakterisiert, um primär die für die experimentellen Untersuchungen erforderlichen Strukturen zur Verfügung zu stellen.