Spannungskompensierte (In,Ga)As-Strukturen für Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

在halbleiter - heterostructren中，单极子带间（0 ~ 0 0）基带间（0 ~ 0 0 0）的研究进展：Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von spannungskompensierten Übergittern and drittens die Herstellung and optische Charakterisierung vollständiger激光Strukturen， die in Zusammenarbeit mit den anderen experimenten Projekten der Forschergruppe durchgefhrt werden。zweimaterialsystemssinf<s:1> r die Präparation innerhalb dieses Projektes vorgesen: spannungskompensiertes (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP and (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs。Die primäre Zielstellung fgr Die transporttuntersuchungen ist das Studium des transportswarmer和he ß ßer Elektronen in den Minibändern spannungskompensierter Übergitter。Funktionsfähige激光成形与特性分析，呃primär模模实验<e:1> [endsuchungen erforderlichen Strukturen zur verfgung zu stelen]。

Dieses Projekt behandelt drei Aspekte der Erforschung von unipolaren Lichtemittern basierend auf Intersubband-Übergängen in Halbleiter-Heterostrukturen: Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von Gas-Quellen-Molekularstrahlepitaxie, zweitens die experimentelle Untersuchung des elektronischen Transports in Minibändern von spannungskompensierten Übergittern und drittens die Herstellung und optische Charakterisierung vollständiger Laserstrukturen, die in Zusammenarbeit mit den anderen experimentellen Projekten der Forschergruppe durchgeführt werden. Zwei Materialsysteme sind für die Präparation innerhalb dieses Projektes vorgesehen: spannungskompensiertes (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs. Die primäre Zielstellung für die Transportuntersuchungen ist das Studium des Transports warmer und heißer Elektronen in den Minibändern spannungskompensierter Übergitter. Funktionsfähige Laser werden hergestellt und charakterisiert, um primär die für die experimentellen Untersuchungen erforderlichen Strukturen zur Verfügung zu stellen.