Spannungskompensierte (In,Ga)As-Strukturen für Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

基于子带间跃迁的光发射器电压补偿 (In,Ga)As 结构

• 批准号: 5267944
• 负责人: Professor Dr. William Ted Masselink
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5267944?language=en
• 关键词: Spannungskompensierte; Ga; Strukturen; Lichtemitter; auf

Dieses Projekt behandelt drei Aspekte der Erforschung von unipolaren Lichtemittern basierend auf Intersubband-Übergängen in Halbleiter-Heterostrukturen: Erstens das epitaktische Wachsen von spannungskompensierten Strukturen unter Verwendung von Gas-Quellen-Molekularstrahlepitaxie, zweitens die experimentelle Untersuchung des elektronischen Transports in Minibändern von spannungskompensierten Übergittern und drittens die Herstellung und optische Charakterisierung vollständiger Laserstrukturen, die in Zusammenarbeit mit den anderen experimentellen Projekten der Forschergruppe durchgeführt werden. Zwei Materialsysteme sind für die Präparation innerhalb dieses Projektes vorgesehen: spannungskompensiertes (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und (In,Ga)As/(In,Ga)P auf GaAs. Die primäre Zielstellung für die Transportuntersuchungen ist das Studium des Transports warmer und heißer Elektronen in den Minibändern spannungskompensierter Übergitter. Funktionsfähige Laser werden hergestellt und charakterisiert, um primär die für die experimentellen Untersuchungen erforderlichen Strukturen zur Verfügung zu stellen.

在哈尔布利特-异质地段的子带间运输和运输的基础上：在Zusammenbeit Mit实验的基础上，在Zusammenbeit Mit实验的基础上进行运输，以满足客户的需求。Zwei材料系统：(In，Ga)As/(In，Al)As auf InP和(In，Ga)As/(In，Ga)P auf GaAs。我们的运输中心位于德国斯宾格特的一家工厂里。激光的作用是利用激光的特性和特性，并进行实验，以获得更好的性能和性能。