Mikro-Hall-Bauelemente auf der Basis von Halbleitern mit hoher Elektronengeschwindigkeit

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Ziel des Forschungsvorhabens ist eine grundlegende Untersuchung von Mikro-Hall-Sensoren basierend auf Halbleiterheterostrukturen mit optimierter Elektronengeschwindigkeit. Wichtige Eigenschaften von Mikro-Hall-Sensoren sind hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen, gute Temperaturstabilität, hohe Durchbruchspannung, geringe Drift und niederohmige Kontakte. Die bisher nicht erkannte Beziehung, daß die absolute Empfindlichkeit und das Signal-Rausch-Verhältnis von Hall Bauelementen in erster Linie von der Ladungsträgergeschwindigkeit und nicht von der Beweglichkeit abhänigig sind, steht im Mittelpunkt der Arbeit. Unsere vorangegangenen Untersuchungen zeigen, daß hohe Elektronengeschwindigkeiten zusammen mit guter Temperaturstabilität am besten in Strukturen basierend auf dotierten InAs-Quantentöpfen zu erreichen sind.