Mikro-Hall-Bauelemente auf der Basis von Halbleitern mit hoher Elektronengeschwindigkeit

基于高电子速度半导体的微霍尔元件

• 批准号: 5113572
• 负责人: Professor Dr. William Ted Masselink
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1997-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5113572?language=en
• 关键词: Mikro; Hall; Bauelemente; auf; der

Ziel des Forschungsvorhabens ist eine grundlegende Untersuchung von Mikro-Hall-Sensoren basierend auf Halbleiterheterostrukturen mit optimierter Elektronengeschwindigkeit. Wichtige Eigenschaften von Mikro-Hall-Sensoren sind hohe Empfindlichkeit, geringes Rauschen, gute Temperaturstabilität, hohe Durchbruchspannung, geringe Drift und niederohmige Kontakte. Die bisher nicht erkannte Beziehung, daß die absolute Empfindlichkeit und das Signal-Rausch-Verhältnis von Hall Bauelementen in erster Linie von der Ladungsträgergeschwindigkeit und nicht von der Beweglichkeit abhänigig sind, steht im Mittelpunkt der Arbeit. Unsere vorangegangenen Untersuchungen zeigen, daß hohe Elektronengeschwindigkeiten zusammen mit guter Temperaturstabilität am besten in Strukturen basierend auf dotierten InAs-Quantentöpfen zu erreichen sind.

这是一种基于半导体异质结构的微霍尔传感器研究的基本方法，它具有最佳的电性能。微霍尔传感器的特性包括：高精度、高灵敏度、高温度稳定性、高功耗、高漂移和低电阻电容。该bisher nicht erkannte Beziehung，dazhid the absolute Empfindlichkeit and das Signal-Rausch-Verhältnis von Hall Bauelementen in erster Linie von der Ladungsträgergeschwindigkeit and nicht von der Beweglichkeit abhänigig sind，steht im Mittelpunkt der Arbeit.为了进一步研究，在InAs量子点的结构基础上，采用具有最佳温度稳定性的电子器件来实现这一目标。