Development and Experimental Assesment of Computer Software to Analyze 3-D Rarefied Plasma Flow.

用于分析 3-D 稀薄等离子体流的计算机软件的开发和实验评估。

基本信息

  • 批准号:
    07555059
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 8.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The purpose of this study is to develop the computer software to analyze 3-D rarefied plasma flow. The experimental works are simultaneously done to correct and establish the computer software by comparing the both result. We performed the study as follows :1) The software for 3-D rarefied gas flow.The software progtammed by use of the direct simulation Monte Carlo method was developed and applied to the simulation of the gas flow in an etcher. Thereby we coud decide the relation between the flow rate and etch rate of water.2) The software for DC and RF plasma flow.These softwares are developed and used to analyze DC and RF plasma flows. We found that the effects of the gas pressure and applied voltage appear inside an ion sheath and a large secondary electron emission lead to the spatial oscillation of the electron density in DC plasma.averaged ion energy distribution function.3) Experimental analyzes of DC and RF plasma.We examined the effects of the gas pressure, applied voltage, and gas flow rate on DC plasma. Many detailed data such as electron density, electron temperature, plasma potential, and so on are presented in case of DC plasma. We found that our software works well. In RF plasma, we are doing the experiment to examine the effects of the gas pressure and applied power on RF plasma.
本研究的目的是开发计算机软件来分析 3-D 稀薄等离子体流。同时进行实验工作,通过比较两者的结果来修正和建立计算机软件。我们进行了如下研究: 1)三维稀薄气流软件。开发了采用直接模拟蒙特卡罗方法编程的软件,并将其应用于刻蚀机内气体流动的模拟。从而确定水的流速和蚀刻速率之间的关系。2)直流和射频等离子体流软件。这些软件是开发用于分析直流和射频等离子体流的。我们发现离子鞘内部存在气压和外加电压的影响,大量的二次电子发射导致直流等离子体中电子密度的空间振荡。平均离子能量分布函数。3)直流和射频等离子体的实验分析。我们研究了气压、外加电压和气体流量对直流等离子体的影响。在直流等离子体的情况下,给出了许多详细数据,如电子密度、电子温度、等离子体电势等。我们发现我们的软件运行良好。在射频等离子体中,我们正在进行实验来检查气压和施加功率对射频等离子体的影响。

项目成果

期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
V.V.Serikov: "Profile of Aletch rate estimated from the analysis of 3-D rarefied flow of Cl_2, BCl_3 and AlCl_3 in a commercial etcher." Vacuum. 47. 1027-1029 (1996)
V.V.Serikov:“根据商业蚀刻机中 Cl_2、BCl_3 和 AlCl_3 的 3-D 稀薄流分析估算出的 Aletch 速率曲线。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
V.V.Serikov: "3D Monte Carlo simulation of dc glow discharge for plasma assisted materials processing." Proc.Int.Symp.Rarefied Gas Dynamics-20. 829-834 (1997)
V.V.Serikov:“用于等离子体辅助材料加工的直流辉光放电的 3D 蒙特卡罗模拟。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kenichi, Nanbu: "Self-consistent parcicle simulation of three-dimensional dc magnetron disharge." Vacuum. 47. 1013-1016 (1996)
Kenichi, Nanb​​u:“三维直流磁控管放电的自洽粒子模拟。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
V.V.Serikov: "Profile of Aletch rate estimated from the analysis of 3-D rarefied of Cl_2,BCl_3 in a commercial etcher." Vacuum. 47. 1027-1029 (1996)
V.V.Serikov:“根据商业蚀刻机中 Cl_2、BCl_3 的 3-D 稀薄分析估算出的 Aletch 速率剖面。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kenichi Nanbu: "Detailed structure of dc glow discharges-effects of pressure, applied voltage, and gamma-coefficient." Vacuum. 47. 1031-1033 (1996)
Kenichi Nanb​​u:“直流辉光放电的详细结构——压力、施加电压和伽玛系数的影响。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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    2002
  • 资助金额:
    $ 8.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    1998
  • 资助金额:
    $ 8.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A).
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