Der Einfluß von intrinsischen Verspannungen auf die Oberflächenmorphologie bei der Si/Ge Heteroepitaxie

该仪器的研制是在第一个项目阶段进行沃登时，采用Si（111）上的第一个模型系统。Damit steht jetzt als einmalige Besonderplug die Combination der in situ Verspannungsmessung（SSIOD）zusammen mit der in situ hochauflösenden Elektronenbeugung（SPA-LEED）für weitergehende Untersuchungen zur Verfügung.在一个由上表面形态学和内表面形态学组成的异质系统中，通过使用韦尔登的良好方法，我们可以获得良好的效果。Dies ist von besonderer Bedutung für die quantitative Analyse der Dynamik der Relaxationsprozesse. Neben der plastischen Entspannung durch Versetzungsbildung韦尔登在假吗啡Wachstumsstadium verschiedene elastische Entspannungsmechanismen beobachtet中。在Ge Schichtdicke的Abhängigkeit中，拉伸松弛的有效机制是GexSi 1-x的Legierungsverhältnis和衬底温度的韦尔登。吸附剂表面活性剂可以在平面内进行吸附或韦尔登，woddz.B.但我们的目标是让它变得更好。Neben der Bedeutung für technologische Anwendungen erlauben diese Untersuchungen grundeling de und aktuelle Fragestellungen des Wechselspiels von Verspannung und Morphologie zu behandeln. Aufgrund des umfangreichen Forschungsprogramms soll das Projekt für eine Laufzeit von drei Jahren beantragt韦尔登.

Der Aufbau der Apparatur ist mit ersten Messungen am Modellsystem Ge auf Si(111) in der ersten Projektphase erfolgreich abgeschlossen worden. Damit steht jetzt als einmalige Besonderheit die Kombination der in situ Verspannungsmessung (SSIOD) zusammen mit der in situ hochauflösenden Elektronenbeugung (SPA-LEED) für weitergehende Untersuchungen zur Verfügung. Damit soll nun erstmalig bei einem gitterfehlangepaßten Heterosystem die Beeinflussung und wechselseitige Abhängigkeit von Oberflächenmorphologie und intrinsischen in-plane Verspannungen gleichzeitig mit beiden Methoden während des Wachstums untersucht werden. Dies ist von besonderer Bedeutung für die quantitative Analyse der Dynamik der Relaxationsprozesse. Neben der plastischen Entspannung durch Versetzungsbildung werden im pseudomorphen Wachstumsstadium verschiedene elastische Entspannungsmechanismen beobachtet. Die Effektivität dieser Mechanismen zur Spannungsrelaxation sollen in Abhängigkeit von der Ge Schichtdicke, dem Legierungsverhältnis x von GexSi1-x Legierungen und der Substrattemperatur untersucht werden. Durch die Adsorption verschiedener Surfactants kann diese in-plane Verspannung noch zusätzlich entweder teilweise kompensiert oder verstärkt werden, wodurch z.B. wiederum die Entstehung von Versetzungen verzögert einsetzt. Neben der Bedeutung für technologische Anwendungen erlauben diese Untersuchungen grundlegende und aktuelle Fragestellungen des Wechselspiels von Verspannung und Morphologie zu behandeln. Aufgrund des umfangreichen Forschungsprogramms soll das Projekt für eine Laufzeit von drei Jahren beantragt werden.