放射光X線回折による電解質溶液中の金属および半導体電極表面の構造決定

通过同步辐射 X 射线衍射测定电解质溶液中金属和半导体电极表面的结构

• 批准号: 07855097
• 负责人: 犬飼 潤治
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07855097/
• 关键词: 放射光; 電気化学; 固液界面; 表面X線回折; Pt(111); Si(111); Au(111); 酸化過程

I.固液界面X線回折実験装置の作製試料を取りつけるセル本体は、テフロンで作製し、側面から電解質溶媒を自由に注入・排出できるように設計した。試料表面は不活性高分子フィルムで覆い、表面とフィルムの間は数μm程度の溶液層のみが存在するように配置した。全体をゴニオメーター上に取りつけ、X線照射および検出角度が自由に設定できることとした。II.金属電極表面の構造解析金属試料としてAu(111)およびヨウ素で被覆したPt(111)電極表面を用いた。どちらの試料共に(1×1)構造に起因するピークが観察された。特にPt(111)電極についてはヨウ素に起因する(3×3)構造も観察された。ヨウ素被覆したPt(111)電極を電気化学的に酸化したところ、酸化につれて(1×1)に起因するピーク強度は単調に減少した。III.Si(111)(1×1)-H電極表面の酸化過程水溶液中、水素で終端されたSi(111)表面のX線回折実験を行い。表面の(1×1)回折ピークが初めて測定された。酸化につれこのピーク強度は減少したが、しばらくするといったん増加し、再び減少した。これは、Si/SiO_2界面の構造変化に対応すると考察された。

i. The solid-liquid interface X-line back-folding device is used as the material to collect the solid and liquid body, to dissolve the solvent, to inject and discharge the solvent freely, and to design the device. On the surface of the material, the inactive polymer was coated, and the surface was coated with a solution of several μ m. All the equipment is used to obtain the output angle of the X-ray beam, and the free settings are available. ii. The metal electrode surface is fabricated and analyzed. The metal alloy Au (111) is used as the coating material for the Pt (111) electrode surface. The total number of materials is (1 × 1). The cause of the accident is due to the observation of the cause. A special Pt (111) cathode is used to monitor the cause of the cause (3 × 3). The reason for the effect of Pt (111C) electrochemistry on acidizing and acidizing temperature (1 × 1) is that the strength is very low. During the acidizing process of III.Si (1 × 1)-H electrode surface, the surface of Si (1 × 1) on the surface of Si (1 × 1)-H electrode was refolded in aqueous solution. The surface (1 × 1) is folded back to determine the temperature at the beginning. Acidify the strength, increase the strength, increase the strength, and increase the strength. The Si/SiO_2 interface is designed to make it easier to investigate the situation.