放射光X線回折による電解質溶液中の金属および半導体電極表面の構造決定

通过同步辐射 X 射线衍射测定电解质溶液中金属和半导体电极表面的结构

基本信息

批准号：
07855097
负责人：
犬飼潤治
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07855097/
关键词：
放射光電気化学固液界面表面X線回折 Pt(111)Si(111)Au(111)酸化過程

项目摘要

I.固液界面X線回折実験装置の作製試料を取りつけるセル本体は、テフロンで作製し、側面から電解質溶媒を自由に注入・排出できるように設計した。試料表面は不活性高分子フィルムで覆い、表面とフィルムの間は数μm程度の溶液層のみが存在するように配置した。全体をゴニオメーター上に取りつけ、X線照射および検出角度が自由に設定できることとした。II.金属電極表面の構造解析金属試料としてAu(111)およびヨウ素で被覆したPt(111)電極表面を用いた。どちらの試料共に(1×1)構造に起因するピークが観察された。特にPt(111)電極についてはヨウ素に起因する(3×3)構造も観察された。ヨウ素被覆したPt(111)電極を電気化学的に酸化したところ、酸化につれて(1×1)に起因するピーク強度は単調に減少した。III.Si(111)(1×1)-H電極表面の酸化過程水溶液中、水素で終端されたSi(111)表面のX線回折実験を行い。表面の(1×1)回折ピークが初めて測定された。酸化につれこのピーク強度は減少したが、しばらくするといったん増加し、再び減少した。これは、Si/SiO_2界面の構造変化に対応すると考察された。

I.固定界面X射线衍射实验装置的制备样品附着的细胞体是由Teflon制成的，旨在允许从侧面自由注射和排放电解质溶剂。样品表面被惰性聚合物膜覆盖，并排列膜，使得表面和膜之间只有大约几分毫米的溶液层。整个区域都安装在角度计上，从而可以自由设置X射线照射和检测角。 ii。金属电极表面的结构分析涂有AU（111）和碘的Pt（111）电极的表面用作金属样品。在两个样品中都观察到（1×1）结构引起的峰。特别是，由于碘（3×3）结构，还观察到Pt（111）电极。当将碘涂层的Pt（111）电极用电化学氧化时，由于（1×1）氧化时（1×1）引起的峰强度降低。 iii。在Si（111）（1×1）-H电极的表面上进行X射线衍射实验，在氧化过程中用氢终止的Si（111）电极的水溶液中。首次测量表面上的（1×1）衍射峰。峰强度随氧化而降低，但一次又一次增加。这被认为对应于SI/SIO_2接口处的结构变化。