放射光X線回折による電解質溶液中の金属および半導体電極表面の構造決定

通过同步辐射 X 射线衍射测定电解质溶液中金属和半导体电极表面的结构

• 批准号: 07855097
• 负责人: 犬飼 潤治
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07855097/
• 关键词: 放射光; 電気化学; 固液界面; 表面X線回折; Pt(111); Si(111); Au(111); 酸化過程

I.固液界面X線回折実験装置の作製試料を取りつけるセル本体は、テフロンで作製し、側面から電解質溶媒を自由に注入・排出できるように設計した。試料表面は不活性高分子フィルムで覆い、表面とフィルムの間は数μm程度の溶液層のみが存在するように配置した。全体をゴニオメーター上に取りつけ、X線照射および検出角度が自由に設定できることとした。II.金属電極表面の構造解析金属試料としてAu(111)およびヨウ素で被覆したPt(111)電極表面を用いた。どちらの試料共に(1×1)構造に起因するピークが観察された。特にPt(111)電極についてはヨウ素に起因する(3×3)構造も観察された。ヨウ素被覆したPt(111)電極を電気化学的に酸化したところ、酸化につれて(1×1)に起因するピーク強度は単調に減少した。III.Si(111)(1×1)-H電極表面の酸化過程水溶液中、水素で終端されたSi(111)表面のX線回折実験を行い。表面の(1×1)回折ピークが初めて測定された。酸化につれこのピーク強度は減少したが、しばらくするといったん増加し、再び減少した。これは、Si/SiO_2界面の構造変化に対応すると考察された。

X-ray inflexion i. solid-liquid interface be の 験 device for making sample を take り つ け る セ は ル ontology, テ フ ロ ン で as し, side か ら electrolyte solvent free を に injection, discharge で き る よ う に design し た. Sample surface は not active polymer フ ィ ル ム で い, covered surfaces と フ ィ ル ム の は between degree of several microns の solution layer の み が exist す る よ う に configuration し た. On all the を ゴ ニ オ メ ー タ ー に take り つ け, X-ray irradiation お よ び 検 Angle が set free に で き る こ と と し た. II. の metal electrode surface structure metal sample と し て Au (111) お よ び ヨ ウ element で coating し た を Pt electrode (111) surface with い た. <s:1> ちら <s:1> the test material is a total of に(1×1). The structure is に. The cause is するピ ちら が観 が観. Observe された. The にPt(111) electrode に 観 て て ヨウ ヨウ element に cause する(3×3) structure に 観 observation された. ヨ ウ pigment coating し た Pt (111) electrode を electric 気 chemical に acidification し た と こ ろ, acidification に つ れ て (1 x 1) cause に す る ピ ー ク strength は 単 adjusting に reducing し た. III. The surface of the Si(111)(1×1)-H electrode is subjected to the acidification process in the aqueous solution, and the terminal of the hydrogen で is された. The surface of the Si(111) is subjected to the <s:1> X-ray rewinding experiment を rows で. Surface <s:1> (1×1) fold back ピ ピ が が initial めて determination された. Acidification に れ れ <s:1> ピ ピ ピ the intensity of れ decreases <s:1> たが, <s:1> ばらくすると ったん ったん ったん increases <s:1>, and then び decreases <s:1> た. Youdaoplaceholder0 れ, <s:1> structural changes of Si/SiO_2 interface に vs. 応すると investigation された.