超薄膜PtSi/Si界面における光励起キャリアーの量子伝導の研究

超薄PtSi/Si界面光生载流子量子传导研究

• 批准号: 07740258
• 负责人: 音 賢一
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07740258/
• 关键词: シリサイド; PtSi; 超伝導; アンダーソン局在; 光励起キャリア

超高真空中の蒸着・固相反応で作製した膜厚が数nmの超薄膜PtSiの電気伝導の温度依存性を調べた。電気伝導率の温度変化は、低温では電子間相互作用による対数的な振る舞いを示した。磁気抵抗には強いスピン軌道相互作用による反局在および超伝導のゆらぎによる伝導度の増加のため正の磁気抵抗が見られた。さらに0.8K以下の極低温で超伝導とアンダーソン局在が競合していることを見いだした。これらの結果をアンダーソン局在および超伝導のゆらぎの効果を取り入れた理論による解析を行うことでキャリアの非弾性散乱による位相緩和時間を推定し、超伝導転移温度の膜厚依存性を説明した。PtSi超薄膜に光(波長λ=0.95μm)を照射することで電気伝導率が増加し、正の磁気抵抗が現れることを見いだした。この現象は膜厚が薄いほど顕著に現れ、Si基板の熱励起キャリアがほとんど無くなる77K以下で観測される。磁気抵抗は磁場の向きに敏感で、薄膜に垂直な磁場の向きで顕著に生じる2次元性を示した。超高真空中で作製したPtSiとSiとの界面は不純物がほとんどない良質の金属-半導体界面であるため、光によりSi側に生じたキャリアーがPtSi界面付近を移動し伝導に寄与するためであると考えられる。

Temperature dependence of electrical conductivity of ultra-thin PtSi films with film thickness of several nm was adjusted by vapor deposition and solid-phase reaction in ultra-high vacuum. The temperature variation of electrical conductivity and the low temperature variation of electrical conductivity and the interaction between electrons are shown in the figure. The magnetic resistance is strong, the orbital interaction is strong, the magnetic resistance is strong, the magnetic conductivity is strong, the magnetic resistance is strong, the magnetic conductivity is strong, and the magnetic resistance is strong. At present, the ultra-low temperature below 0.8K is very stable. The results show that the phase relaxation time of the superconductivity and the film thickness dependence of the superconductivity are estimated. PtSi thin films are irradiated with light (wavelength λ=0.95μm), resulting in an increase in electrical conductivity and an increase in positive magnetic resistance. This phenomenon includes thin film thickness, thin film thickness and thin film thickness. Magnetic field resistance is sensitive to the direction of the magnetic field, and thin films are sensitive to the direction of the magnetic field. PtSi/Si interface in ultra-high vacuum: impurities, impurities

项目成果

S.Ishida: "Electron localization in band tail transport of high-mobility Si-TFTs" proc.16th Int.Conf.Amorphous Semiconductor. (印刷中).

S.Ishida：“高迁移率 Si-TFT 的带尾传输中的电子局域化”，第 16 届国际非晶半导体会议（正在出版）。

K.Oto: "Evaluation of edge channel width by frequency dependence of capacitance minima in quantum Hall regime" Jpn.J.Appl.Phys.34. 4332-4334 (1995)

K.Oto：“通过量子霍尔状态中电容最小值的频率依赖性来评估边缘沟道宽度”Jpn.J.Appl.Phys.34。