セリウム化合物の高濃度近藤状態,及び重い電子状態における電子密度分布の研究

铈化合物高浓度近藤态和重电子态电子密度分布研究

基本信息

批准号：
07740281
负责人：
山本一樹
金额：
$ 0.51万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07740281/
关键词：
セリウム化合物重い電子電子密度分布

项目摘要

本研究は、科学技術庁無機材研所に設置してある極端波長フォトン発生装置と4軸回折計システムを使用して単結晶X線回析実験を行い、多くの構造因子を測定し、通常の構造解析やマキシマムエントロピー法によりCe化合物の4f電子の局在性・非局在性を評価することである。そこで、シリコン(Si)、ダイヤモンド(C)及びゲルマニウム(Ge)について短波長X線高分解能電子密度分布の解析を行い、sp^3共有結合の殻の違いによる変化の詳細を明らかにすると共に、これにより、システムが正しいとの評価を下せた。また、4f電子を1個含むCeB_6と含まないLaB_6及び、4f電子の半閉殻を持つGdB_6について、温室にて、高分解能電子密度分布の解析を行い、4f電子数に伴う変化を定性的に示すことができた。解析に対して最も影響が大きいB-B間の共有結合の電子密度分布が、含まれるランタノイド原紙によらずほぼ同じであること、4f電子を含まないLaB_6によりランタノイド原紙の非調和熱振動の見積もり、4f電子の数の増加によるランタノイド収縮の電子密度分布における影響の見積もり、ランタノイド原子のイオン性の評価などを行い、Ce原子に伴う4f電子密度分布を合成した。

这项研究涉及使用极端波长光子发生器进行单晶X射线衍射实验，以及在科学技术机构的无机机构研究所安装的4轴衍射系统，测量许多结构因素，并评估使用常规结构分析和最大熵方法，评估4F电子在CE化合物中4F电子的定位和定位。因此，对短波长X射线电子密度分布的高分辨率电子密度分布进行了分析，用于硅（SI），钻石（C）和锗（GE），揭示了由于SP^3共价键的壳体差异而导致的变化细节，这使我们能够将系统评估为正确。此外，对于包含一个4F电子和LAB_6的CEB_6，不包含一个4F电子，并且具有半锁定的4F电子的GDB_6，在温室中分析了高分辨率的电子密度分布，并且可以在温室中分析高分辨率的电子密度分布，并且可以在定别显示与4F电子的数量相关的变化。 B和B之间共价键的电子密度分布对分析具有最大的影响，无论包括灯笼底纸如何，都大致相同。使用不包含4F电子的LAB_6对Lanthanoid Base纸的Aharmonic热振动；评估了4F电子数量增加对电子密度分布的增加以及评估lanthan素原子的离子性，并评估了与CE原子伴随的4F电子密度分布有关。