酸化物絶縁体超薄膜の生成とトンネル効果を利用した量子スピンデバイスの基礎研究

利用超薄氧化物绝缘体薄膜和隧道效应的量子自旋器件的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    07750002
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.7万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.薄膜作成装置の改良スパッタリングによるアルミニウム薄膜の作製及び薄膜表面の酸素プラズマ中での放電酸化が同一真空中で行えるように薄膜作製装置の改良を行った.その結果,アルミニウム薄膜の作製後,試料を大気にさらすことなく放電酸化させることが可能となった.アルミニウム薄膜の表面を酸素圧力40mTorrで安定に放電酸化させることができた.2.アルミニウム薄膜の作成条件の最適化アルゴン圧を1〜30mTorrの間で変化させてアルミニウム薄膜の成長過程における電気抵抗のその場測定を行った.その結果,アルゴン圧力が低いほど薄い膜厚で島状膜から連続膜に変化する事がわかった.アルゴン圧力1mTorrでは約20オングストロームの膜厚で連続なアルミニウム薄膜が得られることがわかった.3.酸化アルミニウム薄膜を用いたトンネル接合の作製放電電力,酸化時間を変化させてアルミニウム薄膜の表面を放電酸化させ,NiFe/Al_2O_3/Coの3層膜からなるトンネル接合を作製した.放電電力約10W,酸素圧力40mTorr一定とし,放電酸化時間を1〜30分の間で変化させた.その結果,酸化時間の減少に伴いトンネル抵抗は減少した.大気中酸化の場合に較べ,同一放電条件で酸化した場合,試料のトンネル抵抗値のばらつきを低く抑える事ができた.磁気抵抗効果を測定した結果約0.7%の磁気抵抗比が得られた.この結果はトンネル磁気抵抗効果を示す試料の生成効率の向上に役立つ.
1. improve thin film manufacturing apparatus for thin film manufacture and thin film surface acidification in vacuum. As a result, after the preparation of the thin film, the sample was greatly oxidized and acidified. 2. Optimization of the preparation conditions of the thin film. The temperature of the film is 1 ~ 30 mTorr. The temperature of the film is 1 ~ 30mTorr. As a result, the pressure of the film is low, the film thickness is thin, the island film is thin, and the film thickness is thin. 3. Acidification of NiFe/Al_2O_3/Co 3-layer film by means of chemical bonding. The discharge power is about 10W, the acid pressure is 40mTorr, and the discharge acidification time is 1 ~ 30 minutes. As a result, the acidification time decreases, and the resistance to acidification decreases. In the case of acidification in high temperature, the resistance value of the sample is lower than that in the case of acidification under the same discharge condition. The magnetic resistance ratio was measured to be about 0.7%. The results show that the formation efficiency of the sample increases with the increase of magnetic resistance.

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
久保田均, 佐藤久輝, 宮崎照宣: "DCスパッタ法及びEB蒸着法で作製したAl薄膜の成長過程における電気抵抗測定" 日本応用磁気学会誌. 20(印刷中). (1996)
Hitoshi Kubota、Hisaki Sato、Terunobu Miyazaki:“通过 DC 溅射和 EB 蒸发制造的 Al 薄膜生长过程中的电阻测量”,日本应用磁学学会杂志 20(出版中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
    今村 裕志
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    久保田 均;田丸 慎吾;福島 章雄
  • 通讯作者:
    福島 章雄
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    久保田 均;薬師寺 啓;田丸 慎吾;福島 章雄;甲野藤 真;常木 澄人;野崎 隆行;松本 利映;前原 大樹;鈴木 義茂;湯浅 新治
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    久保田 均;薬師寺 啓;常木 澄人;甲野藤 真;田丸 慎吾;福島 章雄;谷口 知大;荒井 礼子;今村 裕志;鈴木 義茂;湯浅 新治;山田 健太郎
  • 通讯作者:
    山田 健太郎
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  • 发表时间:
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  • 作者:
    久保田 均;薬師寺 啓;常木 澄人;甲野藤 真;田丸 慎吾;福島 章雄;谷口 知大;荒井 礼子;今村 裕志;鈴木 義茂;湯浅 新治
  • 通讯作者:
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