窒化物混晶半導体の物性評価

氮化物混晶半导体物理性能评价

• 批准号: 07750017
• 负责人: 直井 美貴
• 金额: $ 0.51万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750017/
• 关键词: 窒化ガリウム; ホモエピタキシ-; 有機金属気相成長法; 光励起誘導放出

窒化物混晶半導体は,青色-紫外領域の発光材料として有望であるが,一般に行われているヘテロエピタキシャル成長においては基板と成長層の格子不整合,熱膨張係数差による応力の存在や転位の増殖など,デバイスの高性能化を目指すにあたり本質的な問題点を有する.本研究では,上記に示した問題点を解決するために,有機金属気相成長法(MOCVD法)により窒化物半導体を成長し,ラマン散乱法,フォトルミネッセンス法等の光学評価を用いて,その成長条件の最適化を図った。また,昇華法により成長させたバルクおよび厚膜窒化ガリウム上へMOCVD法によりホモエピタキシャル成長を試みた.その結果,ラマン散乱の偏光選択実験から,ホモエピタキシャル成長膜がサファイア上に成長されたヘテロエピタキシャル膜と比較してその結晶対称性に優れていること,フォトルミネッセンス測定から光学的特性が改善されること,透過型電子顕微鏡観察から転位密度の大幅な軽減がなされることを明らかにした.また,光励起による室温における誘導放出実験を行い,閾値励起光強度としてバルクおよび厚膜考えている試料に対してそれぞれ0.86,1.04MW/cm^2を得た.前者は,サファイア基板上にAINを用いて2段階成長したGaNのそれと同程度である.本実験試料では成長後特別な加工は施しておらず,共振面の平坦性の改善,反射効率の向上化等により閾値励起光強度の低減が期待されると考えている.以上の内容を論文として発表した.

Asphyxiated mixed crystal semicrystal, cyan-ultraviolet phosphorescent materials are expected to be sensitive, generally, the growth temperature of the substrate is not integrated in the long-term lattice, the expansion number of the matrix is not integrated, and the performance-oriented performance of the substrate is not integrated. In this study, we show that the growth conditions of organic metal phase growth method (MOCVD method), asphyxiation material semi-solid growth method, temperature dispersion method, temperature dispersion method and so on are used in this study, and the growth conditions are optimized. In this paper, the growth of thick film, the growth of thick film, the growth of thick film and the growth of thick film were studied by MOCVD method. The results show that the polarizer is selected, the growth of the film is very high, and the properties of optical properties are improved. The transmission electron micrometer detects the potential density of the film. The density is very high. In this paper, we use the light to excite the light intensity of the thick film at room temperature. the temperature is 0.86, and the 1.04MW/ cm ^ 2 is high. For the former, the growth of AIN on the substrate is similar to that of GaN in the same degree. This material is used for long-term processing, the flatness of the resonant surface is improved, and the reflectivity is improved. The above content and text are related to the table.

项目成果

H.Naoi: "MOCVD growth of inAsN for infrared appilcation" Topical Workshop of III-V Nitrides. P29 (1995)

H.Naoi：“用于红外应用的 inAsN 的 MOCVD 生长”III-V 族氮化物专题研讨会。

S.Kurai: "Photopumped stimulated emission from homoepitaxial GaN grown on bulk GaN Prepared by subimation method" Jpn.J.Appl.Phys.35. L77-L79 (1996)

S.Kurai：“通过升华法制备的块体 GaN 上生长的同质外延 GaN 的光泵受激发射”Jpn.J.Appl.Phys.35。

S.Kurai: "Growth and charactenzation of thick GaN by sublimation method and homoepitaxial grown by MOCVD" Jpn.J.Appl Phys.35(in press). (1996)

S.Kurai：“通过升华法和 MOCVD 进行同质外延生长的厚 GaN 的生长和表征”Jpn.J.Appl Phys.35（印刷中）。

H.Sato: "XPS measurement of valence band discontinuity at GaP/GaN heterointerfaces" Topical Workshop of III-V Nitrides. F8 (1995)

H.Sato：“GaP/GaN 异质界面价带不连续性的 XPS 测量”III-V 族氮化物专题研讨会。

S.Kurai: "Growth of bulk and thick GaN by sublimation method" Proc.of Fall Meeting of the MRS.Symposium AAA (1995)

S.Kurai：“通过升华法生长块状和厚的 GaN”Proc.of Fall Meeting of the MRS.Symposium AAA (1995)