仕事関数の低い固体表面近傍における励起原子の脱励起過程

低逸出功固体表面附近受激原子的去激发过程

• 批准号: 07750031
• 负责人: 本橋 健次
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750031/
• 关键词: 仕事関数; セシウム; 水素イオン; バルマ-線; 主量子数

1.目的および研究方法本研究では仕事関数の低い表面で散乱されたH^+イオンが表面からどのような準位に電子を捕獲して中性化するかを調べることを目的としている。Cs被覆されたW表面にH^+を入射し、表面から散乱されたH原子からの自然放出光を観測し、H^+がどの準位(主量子数n)に電子を捕獲したかを調べる。衝突真空槽内にWを置き、真空蒸着法によりCsを表面に吸着させる。標的表面がWのみの場合とCs被覆された場合とでHバルマ-線の発光強度の主量子数依存性がどのように変化するかを測定する。真空槽は現有のものを使用したが、到達真空度を上げるために、新たにターボ分子ポンプによる排気システムを採用した。また、ガラスアンプルに封入されたCsを0.2mmφのW線ヒーターで加熱し、蒸着させる蒸発源を作成した。2.結果(1)H^+イオンを3.0KeVでW表面およびCs被覆W表面に衝突させたとき、散乱されたH原子のバルマ-発光線(Hα,Hβ,Hγ,Hδ)が観測された。(2)蒸着源のヒーター電力を0[W]から2[W]まで変化させたとき、Hα線の発光強度が最大50%程度増加した。(3)バルマ-線の発光強度(I[J])は上準位の主量子数(n)に対しておよそn^<-6〜-7>に比例して減少することが分かった。この依存性は表面がCs被覆された場合もそうでない場合もほとんど変化しないことが分かった。3.まとめCs被覆されたW表面で散乱されたHα線発光強度が、Cs被覆されない場合の発光強度に対して最大で50%程度増加した。バルマ-線強度のn依存性はW表面とCs被覆W表面とでほとんど変化しなかった。すなわち、Csを被覆することによって励起H原子数は増加するが、電子の捕獲準位分布は変化しないことが分かった。

1. Objective and research methods This study is related to the number of low surface scattering H^+, surface alignment electron capture, neutralization and modulation. Cs coating W surface H^+ incident, surface scattering H atoms naturally emitted light, H^+ quasi-position (principal quantum number n) electron capture and modulation Vacuum evaporation method in the vacuum tank, vacuum evaporation method in the surface of Cs adsorption. The main quantum number dependence of the emission intensity of the target surface is determined in the case of W and Cs coating. The vacuum tank is used to reach the vacuum level, and the new vacuum tank is used to remove the vacuum. The heat and steam source of 0.2mmφ W line sealed Cs were produced. 2. Results (1)H^+= 3.0 KeV, W surface = Cs coated W surface = H α, H β,Hγ,H δ = H α, H β = H α, H δ = Hα,Hβ = Hα,H δ = Hα,Hβ,Hδ = H β,Hδ = (2)The light intensity of the vapor source is increased by up to 50% from 0[W] to 2[W]. (3)The luminous intensity (I[J]) of the ray decreases proportionally to the principal quantum number (n) of the upper level. The dependency is on the surface. 3. When Cs is coated on the W surface, the emission intensity of Hα ray scattered on the W surface increases by 50% at the maximum. N-dependence of line strength on W surface and Cs coating W surface The number of excited H atoms increases, and the distribution of electron capture levels changes.