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太陽電池用〈112〉配向CuInSe_2薄膜の作成と結晶成長機構に関する研究

太阳能电池用<112>取向CuInSe_2薄膜的制备及晶体生长机理研究

基本信息

批准号：
07750366
负责人：
芦田淳
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07750366/
关键词：
銅インジウムセレン配向カルコパイライト

项目摘要

本研究の第一の目的は、Cu_2Se薄膜の配向性改善が、その上にIn_2Se_3を蒸着して拡散・反応を経て作製したCuInSe_2薄膜の配向性の向上に寄与することを確認するものであった。ここでCu_2Seの配向性の違いにのみ着目し拡散・反応家庭の条件の違いによる影響を回避するため以下の実験を行った。まず第一層のCu_2Se薄膜を基板温度600℃と400℃にて作製し、高配向とほぼランダムな方位のものを作り分ける。これらを室温まで降温した後In_2Se_3を蒸着して2層膜とし、さらに不活性ガス中で300℃で熱処理してCuInSe_2を形成した。その結果両者には明らかに配向性の違いがみられ、条件の違いは第一層のCu_2Seの配向状態のみであることから、これが最終的なCuInSe_2の配向性を左右する大きな要因であることが確認された。さらにこの結果を利用してより高配向のCuInSe_2薄膜を作製するために、Cu_2Se薄膜の配向性向上を試みた。従来Cu_2Se製膜後時間的間隔をおかずにIn_2Se_3を蒸発させていた。一方、Cu_2Se製膜後一定時間基板温度を保持すると、その配向性が向上することがわかった。そこで、CuInSe_2製膜時にも第一層のCu_2Seを蒸着後、一定の時間そのまま基板温度を保持した後In_2Se_3を蒸着した。その結果、最適保持時間は各基板温度で異なるものの、いずれの温度においてもCuInSe_2薄膜の配向性向上に成功した。またこれによって従来と同等の配向性のCuInSe_2薄膜をより低温で作製できることになった。

The primary purpose of this study is to confirm that the alignment of Cu_2Se thin films has been improved and that the alignment of CuInSe_2 thin films has been improved by the evaporation, dispersion and reaction of In_2Se_3. The effect of Cu_2Se on the disorientation of Cu_2Se was studied. The first Cu_2Se thin film was prepared at 600℃ and 400℃, and the orientation of the first Cu_2Se thin film was determined. After cooling at room temperature, In_2Se_3 was evaporated and CuInSe_2 was formed after heat treatment at 300℃The results show that the orientation of Cu_2Se in the first layer is different from that in the second layer. The results show that CuInSe_2 thin films with high alignment can be prepared by using CuInSe_2 thin films with high alignment. The time interval between Cu_2Se and In_2Se_3 evaporation was determined. After Cu_2Se deposition, the temperature of the substrate is maintained for a certain period of time, and the orientation of the substrate is increased. When CuInSe_2 is deposited, the first layer of Cu_2Se is evaporated, and the substrate temperature is maintained for a certain period of time. The results show that the optimal holding time varies with substrate temperature, and the alignment of CuInSe_2 films is upward. CuInSe_2 thin films with the same orientation were prepared at low temperatures.