权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

LOフォノン散乱による非1/fノイズを利用したII-VI族量子井戸の超低ノイズ化研究

利用LO声子散射引起的非1/f噪声进行II-VI族量子阱超低噪声研究

基本信息

批准号：
07750375
负责人：
安井孝成
金额：
$ 0.58万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目標は、THz帯の高周波領域でのキャリアの散乱ノイズをLOフォノン散乱を利用して抑制することにある。THz帯のノイズ特性を議論するためにはこの領域のノイズの大きな要因であるショットノイズとの区別が必要である。実験は、ショットキーダイオードを作製し、そのノイズの周波数特性をヘテロダイン検波後にスペクトルアナライザーで測定した。今年度内に明らかになったことは、ノイズがショットキー(金属・半導体)界面の欠陥や不純物に大きく依存し、界面の状態の制御が大きな問題だということである。現状ではTHz帯のノイズ特性をショットノイズとそれ以外の原因によるノイズとに区別することは出来ていない。界面の欠陥に起因したと考えられる数KHzからの熱雑音(ジョンソンノイズ)が非常に大きく、この影響で全周波数領域でノイズレベルが上がり、ショットノイズだけを議論出来ないのが現状である。また、ノイズレベルの増大は受信感度を低下させるので、ダイオードの出力も下がり、THz帯のノイズの評価の妨げになっている。現在までにTHz帯の半導体デバイスとしては、GaAsショットキーダイオードが有力視されているが、GaAs・金属の界面の制御が困難であり、再現性良く良好なデバイスを作製する手段が確立されていない。本研究はII-VI族半導体のLOフォノンカップリングの大きいことを利用し、GaAsでは起こりにくい、キャリアのLOフォノン散乱によるTHz帯のノイズ特性制御をめざしたが、GaAsと同様に上記の界面制御の問題に直面しており、II-VI族半導体の特徴を生かせないのが現状である。界面制御の問題は、II-VI族半導体ではGaAsに比べて、なおさらよく解っておらず、今後の課題をなる。

The purpose of this study is to reduce the noise and noise in the THz band. THz band characteristics are discussed in detail. The frequency characteristics of all kinds of materials are measured after the materials are processed. In this year's future, the interface of metal and semiconductor depends on impurities, and the state of the interface is controlled. The current situation is different from that of the THz band. The cause of the interface defect is considered to be the thermal noise of several KHz. The influence of the thermal noise on the whole frequency field is very large. For example, if you want to increase your reliability, you can reduce your power consumption and THz frequency. At present, semiconductor devices in the THz band are difficult to control due to their strong visibility, GaAs/metal interfaces, and good reproducibility. In this paper, we study the characteristics of II-VI semiconductors and the characteristics of GaAs in THz band. Interface control problems, II-VI semiconductor, GaAs, and future problems