Massensensitive Dünnschichtscherwellenresonatoren basierend auf neuartigen, MOVPE gewachsenen, Piezoelektrischen GaN Schichten

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Das Vorhaben zielt auf die Erforschung von IC kompatiblen, miniaturisierten und hochsensitiven elektro-akustischen Dünnschichtresonatoren, welche auch in fluider Umgebung eingesetzt werden können. Für eine rein transversal schwingende Resonatorschicht werden neuartige piezoelektrische Materialien eingesetzt, die mit einem speziellen epitaktischen Wachstumsverfahren hergestellt werden. Für die Erforschung eines rein transversal polarisierten massensensitiven Resonators mit hoher Sensitivität und maximaler Güte bei minimaler Querempfindlichkeit gegenüber Temperatur, werden neue, an die Transversalschwingung angepasste Konzepte für die Wahl und Abfolge der eingesetzten Materialien, für das dreidimensionale Layout der Resonatorschichten und für die Unterdrückung parasitärer Moden untersucht. Gemeinsam werden bestehende Bearbeitungsprozesse auf ihre Anwendbarkeit bei den neuen Materialien untersucht und gegebenenfalls neue Prozesse etabliert, um eine hohe akustische Reflektion an Grenz- und Oberflächen und Transmission im Materialvolumen zu erzielen. Die bei dem Vorhaben angestrebten Ergebnisse können auch von großem Interesse werden für das Wachstum von GaN-Licht-emittern auf unpolaren Oberflächen sowie, im Fall des Wachstums auf metallisierten Si-Oberflächen, für die Anwendung im preiswerten Lichtemittersegment und für HF-Bandpassfilter im Mobilfunk.