Massensensitive Dünnschichtscherwellenresonatoren basierend auf neuartigen, MOVPE gewachsenen, Piezoelektrischen GaN Schichten

Das Vorhaben zielt auf die Erforschung von IC kompatiblen，electro-akustischen Dünschichtresonatoren，welche auch in fluider Umgebung eingesetzt韦尔登könnnen.对于一个横向振动谐振器韦尔登中性压电材料eingesetzt，die mit einem speziellen epitaktischen Wachstumsverfahren hergestellt韦尔登。为了研究一种横向偏振质量敏感的谐振器，它具有更高的灵敏度和最大的温度，韦尔登新的，横向的偏振质量敏感的谐振器，用于谐振器的三维布局和非线性寄生现代化。韦尔登将在新材料上进行轴承加工，并在材料体积上进行高强度的反射、上表面反射和透射。Die bei dem Vorhaben angestrebten Ergebnisse können auch von großem Interesse韦尔登für das Wachstum von GaN-Licht-emittern auf unpolaren Oberflächen sowie，im Fall des Wachstums auf metallisierten Si-Oberflächen，für die Anwendung im preiswerten Lichtemittersegment und für HF-Bandpass filter im Mobilfunk.

Das Vorhaben zielt auf die Erforschung von IC kompatiblen, miniaturisierten und hochsensitiven elektro-akustischen Dünnschichtresonatoren, welche auch in fluider Umgebung eingesetzt werden können. Für eine rein transversal schwingende Resonatorschicht werden neuartige piezoelektrische Materialien eingesetzt, die mit einem speziellen epitaktischen Wachstumsverfahren hergestellt werden. Für die Erforschung eines rein transversal polarisierten massensensitiven Resonators mit hoher Sensitivität und maximaler Güte bei minimaler Querempfindlichkeit gegenüber Temperatur, werden neue, an die Transversalschwingung angepasste Konzepte für die Wahl und Abfolge der eingesetzten Materialien, für das dreidimensionale Layout der Resonatorschichten und für die Unterdrückung parasitärer Moden untersucht. Gemeinsam werden bestehende Bearbeitungsprozesse auf ihre Anwendbarkeit bei den neuen Materialien untersucht und gegebenenfalls neue Prozesse etabliert, um eine hohe akustische Reflektion an Grenz- und Oberflächen und Transmission im Materialvolumen zu erzielen. Die bei dem Vorhaben angestrebten Ergebnisse können auch von großem Interesse werden für das Wachstum von GaN-Licht-emittern auf unpolaren Oberflächen sowie, im Fall des Wachstums auf metallisierten Si-Oberflächen, für die Anwendung im preiswerten Lichtemittersegment und für HF-Bandpassfilter im Mobilfunk.