Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten

在硅衬底上生长 III 族氮化物器件

• 批准号: 5306626
• 负责人: Professor Dr. Alois Krost (†)
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2002-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5306626?language=en
• 关键词: Wachstum; von; Gruppe; III; Nitrid

Ziel des Vorhabens ist es, rißfreie, GaN-basierte Bauelemente auf Si-Substraten herzustellen. Dabei handelt es sich zum einen um Lichtemitter mit Wellenlängen von 515 nm und größer auf maskierten und unmaskierten Si-Substraten. Zu diesem Zweck sollen der verspannungsabhängige In-Einbau im InGaN und Schichten im stickstoffreichen System InGaAsN untersucht werden. Es wird eine Lichtleistung von 1 mW angestrebt. Zum anderen sollen GaN-basierte Transistorstrukturen auf Si-Substrat hergestellt werden, deren Eigenschaften mit denen auf Saphirsubstrat vergleichbar sind. Die Proben sollen in Zusammenarbeit mit anderen Gruppen des Schwerpunktprogramms, mit denen zum Teil schon eine intensive Kooperation besteht, auf ihre strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften hin untersucht werden. Außerdem sollen Proben anderer Gruppen mittels Röntgenverfahren auf ihre strukturellen Eigenschaften hin charakterisiert werden.

Ziel des Vorhabens is es，rißfreie，GaN-basierte Bauelemente auf Si-Substraten herzustellen. Dabei handelt es sich zum einen um Lichtemitter mit Wellenlängen von 515 nm und größer auf maskierten und unmaskierten Si-Substraten. Zu diesem Zweck sollen der verspannungsabhängige In-Einbau im InGaN und Schichten im stickstoffreichen System InGaAsN untersucht韦尔登。这将是一个1 mW的发光二极管。在硅衬底上的GaN基晶体管结构是韦尔登的一部分，其特征在于硅衬底上的GaN基晶体管结构非常简单。该解决方案与Schwerpunktprogramms的其他小组合作，在他们的结构、电气和光学特性方面进行了一次密集的合作，韦尔登。Außerdem sollen Proben anderer Gruppen mittels Röntgenverfahren auf ihre strukturellen Eigenschaften hin charakterisiert韦尔登.