Wachstum von Gruppe III-Nitrid Bauelementen auf Silizium Substraten

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Ziel des Vorhabens ist es, rißfreie, GaN-basierte Bauelemente auf Si-Substraten herzustellen. Dabei handelt es sich zum einen um Lichtemitter mit Wellenlängen von 515 nm und größer auf maskierten und unmaskierten Si-Substraten. Zu diesem Zweck sollen der verspannungsabhängige In-Einbau im InGaN und Schichten im stickstoffreichen System InGaAsN untersucht werden. Es wird eine Lichtleistung von 1 mW angestrebt. Zum anderen sollen GaN-basierte Transistorstrukturen auf Si-Substrat hergestellt werden, deren Eigenschaften mit denen auf Saphirsubstrat vergleichbar sind. Die Proben sollen in Zusammenarbeit mit anderen Gruppen des Schwerpunktprogramms, mit denen zum Teil schon eine intensive Kooperation besteht, auf ihre strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften hin untersucht werden. Außerdem sollen Proben anderer Gruppen mittels Röntgenverfahren auf ihre strukturellen Eigenschaften hin charakterisiert werden.