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エピタキシャル層における転位の干渉効果の数値解析

外延层位错干涉效应的数值分析

基本信息

批准号：
08650094
负责人：
新谷一人
金额：
$ 0.77万
依托单位：
The University of Electro-Communications
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.Perovic and Houghton(1992)により観察されたSi_<1-x>Ge_x/Si構造における二重転位半ループ源を,結晶成長面との交線が直交する等価な二つのすべり面上にある二個の三角形ループによってモデル化し,三角形ループの頂点間の距離を変化させて、相互作用エネルギーを計算し、次のような結果を得た。(1)相互作用エネルギーは、三角形の頂点がほぼ一致する配置、すなわち、Perovic and Houghtonによって観察された二重転位半ループの形状において負の最小値をとり、この形状で転位核生成が起こる可能性が高い。(2)相互作用エネルギーの全エネルギーへの効きは小さく、Perovic and Houghtonが求めた二重転位半ループに対する非常に小さな活性化エネルギーを説明するには表面エネルギーを考慮した計算を行う必要がある。2.Hagen-Strunk増殖機構の初期段階では、直交するミスフィット転位が交点で対消減を起こし、頂点近傍のV字形転位が自由表現側へ移動する。このV字形転位に働く力を厳密に計算することにより、次のような結果を得た。(1)Ge/GaAs構造でHagen-Strunk増殖機構が起こり得る最大の膜圧は85.8nmであり、これはMatthews-Blakesleeの臨界膜圧277nmおよびStrunk et al.(1979)が観察した増殖が起こり始めるとされる膜圧100nmより小さく、従って、Ge/GaAs構造に対してHagen-Strunk増殖機構は起こり得ない。(2)Si_<1-x>Ge_x/Si構造でHagen-Strunk増殖機構が起こり得る最大の膜圧は、Ge濃度の全範囲においてMatthews-Blakesleeの臨界膜厚より小さく、また、この最大の膜圧はGe濃度の増加に伴って減少し、Fukuda et al.(1988)による転位密度の観察結果と照らし合わせれば、Si_<1-x>Ge_x/Si構造においてもHagen-Strunk増殖機構が働いているとは考えられず、別な増殖機構によって転位の増殖が起こっているものと推論される。

1.Perovic and Houghton (1992) The structure of Si_<1-x>Ge_x/Si structure is half the source of the double layer, and the crystal growth surface is the intersection line of the orthogonal line.のすべり面にある二のTriangleループによってモデル化し,Triangleループのcrest The distance between points is changed, the interaction is calculated, and the result is obtained. (1) Interaction and configuration, vertex of triangle and consistent configuration, Perovic and Houghton's によって観看された二重転 position half ループのShape においてnegative のminimum value をとり, このshape で転 Bit core generation がrise こる possibility がHigh い. (2)Interaction エネルギーの全エネルギーへのeffectきは小さく、Perovic and Houghton がめた二重転 Bit half ループに対するに小さな Activation エネルギーをExplanationするにはsurfaceエネルギーをConsiderationしたCalculationを行うNecessaryがある. 2. The initial stage of the Hagen-Strunk propagation mechanism, the intersection point of the straight intersection, the V-shaped position of the vertex, and the free expression of the side movement of the V-shaped position near the vertex.このV-shaped 転 position に働く力を厳 density にcalculation することにより, times のような results をget た. (1) The Ge/GaAs structure has a Hagen-Strunk multiplication mechanism with a maximum membrane pressure of 85.8nm and a critical membrane pressure of Matthews-Blakeslee of 277nm and Strunk et al. al. (1979) が観看したgrowthが开こり开めるとされる membrane pressure 100nmより小さく、従って、Ge/GaAs structure に対してHagen-Strunk propagation mechanism は起こり得ない. (2) Si_<1-x>Ge_x/Si structure has a Hagen-Strunk propagation mechanism that can achieve the maximum membrane pressure and the full range of Ge concentration.てMatthews-Blakeslee's critical film thickness より小さく、また、このMaximum film pressure のGe concentration のincrease and にって decrease し、Fukuda et al. (1988) Observation results of the bit density of Si_<1-x>Ge_x/Si Hage n-Strunk Propagation Agency The reproductive mechanism is the reproductive mechanism of the reproductive system.