次世代用磁気ディスク基板のポリシング法の研究

次世代磁気ディスク基板のポリシング法で問題となる事項の内で,コロイダルシリカを用いたニッケルリン無電解メッキアルミニウム基板の超平滑ポリシング特性と酸化セリウムを用いたガラス基板のポリシング特性を検討した.以下に得られた主な結果を示す.[コロイダルシリカを用いたニッケルリン無電解メッキアルミニウム基板のポリシング]1.本方法では,比較的容易に3nm以下/4mm測定(P-V値:WYKO測定),1nm以下/240μm測定(P-V値:WYKO測定),1nm以下/5μm測定(P-V値:AFM測定)の超平滑面を得ることが可能である.2.ポリシング除去量は,ポリシング時間に比例する.3.ポリシング除去速度は,ポリシング圧力に比例する傾向にある.[酸化セリウムを用いた結晶化ガラス基板のポリシング]4.ポリシング除去量は,ポリシング時間に比例する.5.ポリシング除去速度は,ポリシング圧力が大きくなり,ポリシング相対速度が速くなると,増加する傾向がある.6.本方法で,4nm以下/4mm測定(P-V値:WYKO測定),4nm以下/240μm測定(P-V値:WYKO測定)の超平滑面を比較的容易に得ることが可能である.[研究発表]1)1996年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集(1996年9月10日)

次世代磁気ディスク基板のポリシング法で問題となる事項の内で,コロイダルシリカを用いたニッケルリン無電解メッキアルミニウム基板の超平滑ポリシング特性と酸化セリウムを用いたガラス基板のポリシング特性を検討した.以下に得られた主な結果を示す.[コロイダルシリカを用いたニッケルリン無電解メッキアルミニウム基板のポリシング]1.本方法では,比較的容易に3nm以下/4mm測定(P-V値:WYKO測定),1nm以下/240μm測定(P-V値:WYKO測定),1nm以下/5μm測定(P-V値:AFM測定)の超平滑面を得ることが可能である.2.ポリシング除去量は,ポリシング時間に比例する.3.ポリシング除去速度は,ポリシング圧力に比例する傾向にある.[酸化セリウムを用いた結晶化ガラス基板のポリシング]4.ポリシング除去量は,ポリシング時間に比例する.5.ポリシング除去速度は,ポリシング圧力が大きくなり,ポリシング相対速度が速くなると,増加する傾向がある.6.本方法で,4nm以下/4mm測定(P-V値:WYKO測定),4nm以下/240μm測定(P-V値:WYKO測定)の超平滑面を比較的容易に得ることが可能である.[研究発表]1)1996年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集(1996年9月10日)