Ein optischer Schalter und Speicher aus einem einzelnen Defektzentrum - Physikalische Grundlagen und materialspezifische Aspekte -

来自单一缺陷中心的光学开关和存储器 - 物理原理和材料特定方面 -

• 批准号: 5282802
• 负责人: Professor Dr. Jörg Wrachtrup
• 金额: --
• 依托单位: 3. Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5282802?language=en
• 关键词: Ein; optischer; Schalter; und; Speicher

Das Ziel des Projekts besteht darin festzustellen, ob sich einzelne Stickstoff-Fehlstellen Defektzentren in Diamant als bistabile optische Raumtemperatur Speicherelemente mit atomaren Abmessungen eignen und welche Speicherdichte erreichbar ist.Durch die Einstrahlung von UV-Licht sollen einzelne Stickstoff-Fehlstellen (NV) Defektzentren in Diamant von ihrer negativ geladenen Form NV in die neutrale Ladungsform NV0 umgewandelt werden; dabei ändert sich die Wellenlänge der Fluoreszenzemission von 637nm nach 575nm. Es gelingt, ein einzelnes Defektzentrum in beiden Ladungszuständen zu beobachten. Das NV Defektzentrum erfüllte bei Raumtemperatur alle Anforderungen, die an ein optisches Speicherelement gestellt werden müssen, beispielsweise im Bezug auf seine photochemische-, thermische- und Lesestabilität. Durch eine Variation von Materialeigenschaften sollen verschiedene Einflüsse, wie z.B. unterschiedliche Defektzentrenkonzentrationen, im Hinblick auf die erreichbare Speicherdichte untersucht werden.

Das Ziel des Projekts besteht darin festzustellen, ob sich einzelne Stickstoff-Fehlstellen Defektzentren in Diamant als bistabile optische Raumtemperatur Speicherelemente mit atomaren Abmessungen eignen und welche Speicherdichte erreichbar ist.Durch die Einstrahlung von uv-licht sollen einzelne stickstoff-fehlstellen（nv）defektzentren在直径的von ihrer negativ negativ geladenen die中立的ladund ladungsform nv0 umgewandelt werden中； DabeiändertSich DiewellenlängeDerfluoreszenzemession von 637nm NACH 575nm。 Es Gelingt，Ein Einzelnes Defektzentrum在BeidenLadungszuständenZu Beobachten中。 Das NV Defektzentrumerfülltebei raumtemperatur all anforderungen，死于ein opisches speicherelement gestellt gestelltwerdenMüssen，beispielspielsweise im bezug bezug auf auf auf seine seine seine seine phothechemische-材料和材料，Einflüsse的溶液以及B. B.，Defektzentrenkonzentrationen和Hinblick Auf Auf Die Erreichbare Speicherdichte untersucht Werden。