めっきプロセスのゼロエミッション化

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無電解めっき法惇電子部品工業等で広く用いられている製膜技術の一つであるが,めっき浴が不安定であり寿命が短く,さらにその廃液は錯化剤,還元剤を含むため通常の廃液処理が困難であり,環境負荷が大きい技術と言える。本研究では,これまでの廃液処理という考え方ではなく,めっきプロセスのゼロエミッション化の観点から,無電解めっき廃液を電気めっきに利用し,その後さらに無電解めっきに利用する新しいめっきシステムの可能性について,次亜りん酸を還元剤とする無電解ニッケルめっきを例として検討した。その結果以下の諸点を明らかにした。1. 亜りん酸を50g/dm^3を含む無電解ニッケルめっき老化液を用いて,電気めっきを行った結果電流密度30〜40mA/cm^2,浴pH3〜4の条件で,P含有率12〜13w%の光沢のある良好なめっき膜が得られる。また電流効率は70数%以上でこのオーダーは工業的観点からも十分満足できる値である。2. 錯化剤であるくえん酸ナトリウムの増大は電流効率を著しく減少させるが,めっき浴にニッケルイオンをフィードすることにより電流効率を70w%以上に上昇させることができる。3. 無電解ニッケルめっき液の老化の主たる原因である亜りん酸は,電気めっきを行うことによりめっき膜中にリンとして固定,除去されることから,電気めっき後のめっき浴を再び無電解めっき浴として利用できる可能性がある。4. 本研究の結果,無電解めっきと電気めっきを組み合わせためっきプロセス,すなわちゼロエミッションを指向した新しいめっきプロセスを提案した。5. 今後は,本研究で提案しためっきプロセスを実際のめっきプロセスに対する適用性について検討し,さらにニッケル以外の種々の無電解めっきに対して検討する予定である。