超伝導位相情報を用いた記憶回路の研究

利用超导相位信息的存储电路研究

• 批准号: 10142210
• 负责人: 黒沢 格
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Japan Women's University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10142210/
• 关键词: 超伝導メモリ; ジョセフソンメモリ; 単一磁束量子回路; ボルテックス相互作用

本年度は,ボルテックス(単一磁束量子)を利用した回路方式に適合する記憶回路の基本構成を,従来型の超伝導メモリの一つである「可変しきい値型メモリ」の基本回路をもとに構成することを検討した.記憶回路にとって重要なのは数である.数多くの単位記憶回路(メモリセル)の中から所望の情報を効率よく取り出すために,普通,単位記憶回路を2次元マトリックス状に多数個配置する構成がとられる.そのような構成がボルテックスを利用した回路方式においても可能かどうか,その場合の問題点は何か,を検討することが本研究の目的である.そのために,基本の記憶動作が確認されている単位記憶回路を多数個接続したビット線を想定したモデルを構成し,計算機シミュレーションによりその動作特性を,動作電圧,記憶状態,接続回路数を変化させて調べた.その結果,次のことが明らかになった.(1) 接続回路数が1個の場合,ボルテックスを記憶している状態("1"記憶状態)と記憶していない状態("0"記憶状態)で,ボルテックスの伝搬にさしたる違いはない.(2) 接続回路数が増加した場合(10個までを計算),"0"記憶状態では伝搬時間が長くなるだけで,接続回路数が1個の場合と動作電圧の範囲は同じである.(3) しかしながら"1"記憶状態では,伝搬時間が"0"記憶状態よりもさらに長くなるとともに,動作電圧の範囲が接続回路数の増加とともに減少する.以上の結果を考察すると,物理的には,ボルテックス-ボルテックス相互作用が見えていることになり,相互作用を小さくするように工夫することで解決できるものと思われる.

This year, the basic structure of memory circuit suitable for the use of circuit mode (single magnetic beam quantum) is discussed. Memory loop is important. A number of single bit memory circuits (or single bit memory circuits) in which desired information can be obtained, ordinary, single bit memory circuits, or two-dimensional memory circuits, are composed of multiple configurations. The purpose of this study is to discuss the problem of how to make use of the loop mode. In this case, the basic memory operation is confirmed, the single memory circuit is determined by the number of connections, the computer system is configured, and the operation characteristics, the operation voltage, the memory state, and the number of connections are changed. As a result, the second time, the second time, the third time, the third time. (1)When the number of connection loops is 1, it indicates the state of memory ("1" memory state) and the state of memory ("0" memory state), and it indicates the state of memory ("0" memory state). (2)When the number of connection circuits increases (10 are calculated), the memory state of "0" is changed to a long time, and when the number of connection circuits increases to 1, the range of operating voltage is changed to the same value. (3)"1" memory state, transfer time,"0" memory state, operation voltage range, number of connected circuits increase, decrease. The above results are examined in detail, and the physical interaction is discussed in detail.

项目成果

黒沢 格: "単一磁束量子回路に適合する超伝導メモリ" 電気学会計測研究会資料. IM・99. 13-18 (1999)

Itaru Kurosawa：“与单通量量子电路兼容的超导存储器”IEEJ测量研究组材料IM·99（1999）。