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開殻π電子系間のスルーボンド相互作用によるスピン状態制御

通过开壳层 π 电子系统之间的键相互作用控制自旋态

基本信息

批准号：
10146244
负责人：
塚田秀行
金额：
$ 1.15万
依托单位：
Yokohama City University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10146244/
关键词：
開殻パイ電子系五重項 EPR スルーボンド相互作用ナイトレン

项目摘要

非共役開殻パイ電子系についてのより深い理解が不可欠であると考え,本研究では,アルキル鎖で隔てられた二つの三重項中心を持つパイ電子系;α,ω-(ジナイトレノフェニル)アルカン誘導体の基底スピン多重度について調べることにした。主に,鎖長n=1の系について調べた。1. 9,9,10,10-tetramethyl-9,10-dihydroanthraceneは,二つのベンゼン環はほぼ平面状で,π軌道同士の重なりが小さく,through-space機構が働きにくいと考えられる。 2,6-dinitreno-9,9,10,10-tetramethyl-9,10-dihydroanthraceneのESRスペクトルを測定したところ,1重項が基底状態で,〓E_<S-Q>=30cal/molであることが分かった。また位置異性体である2,7-dinitrene体は,5重項基底状態であった。この結果はシグマ軌道を通した超共役・through-bond機構によるスピン間の相互作用が支配的であることを示している。2. di(p-nitrenophenyl)methaneでは,5重項が基底状態であることがわかった。ところが,架橋部分にジメチル基を導入した dimethyl-di(p-nitrenophenyl)methaneでは,1重項が基底状態であることがわかった。ジメチル基を導入すると,母体とは異なる安定配座を持つことがMM3計算から示唆される。従って,配座が大きく変わったことでスピン情報伝達機構が変わり,高スピンから低スピン状態に変換されたことになる。これらは,二つのスピン間を繋ぐ部分の配座や電子状態の変化により,基底スピン多重度を変換し得たものと理解でき,今後の発展が期待できる。

In this study, we found that the electron system is isolated from the triple term center of the binary electron system;α,ω-()-induced body of the substrate is isolated from the electron system. In the main, the lock length n=1 is adjusted in the system. 1. 9,9,10,10-tetramethyl-9,10-dihydroanthracene, ESR of 2,6-dinitreno-9,9,10,10-tetramethyl-9,10-dihydroanthracene was determined <S-Q>at 30cal/mol.また位置异性体である2,7-dinitrene体は,5重项基底状态であった。The result is that the interaction between the two bodies is dominated by the interaction between the two bodies. 2. di(p-nitrenophenyl)methane, 5-fold term base state. The bridging part of the matrix is introduced into dimethyl-di(p-nitrophenyl)methane, which is the base state of the 1-fold term. The matrix is different from the stable matrix, and the MM3 calculation is different from the stable matrix.従って,配座が大きく変わったことでスピン信息伝达机构が変わり,高スピンから低スピン状态に変换されたことになる。In this regard, the two sides of the gap between the two parts of the electronic state of the change, the substrate of the multiple degrees of change to understand, the future development is expected.