新たに提唱したX線計測新原理の実証とそれに基づく新着想電子温度計測法の確立
演示新提出的X射线测量新原理并建立基于该原理的新型电子测温方法
基本信息
- 批准号:10878069
- 负责人:
- 金额:$ 1.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
- 财政年份:1998
- 资助国家:日本
- 起止时间:1998 至 1999
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度は、以下の具体的新手法により、プラズマの電子温度T_eの計測を実施した。(1)先ず、計測器の空乏層厚d∝V^<1/2>(Vは外部印加電圧)をVの時間掃引により時間変化させ、空乏層での吸収X線を変化させた。この時、(2)空乏層が厚い程空乏層を通り抜け空乏層の背後の無電場領域まで到達できるX線のエネルギーは高くなる。(3)一方、無電場領域内の深さ方向のX線生成電荷分布形状は、無電場領域でのX線減衰分布形状(X線エネルギーに依存)で決まる。(4)これら、X線エネルギーに依り生成分布が異なる電荷が、無電場領域で三次元拡散し、X線入射の無い隣接チャンネルに拡散し、入射エネルギーに特有の拡散電荷分布を形作る。(5)この拡散分布形状を定式化できる、新感度理論を用いて計算・解析して、入射X線エネルギー或いは電子温度を決定した。(プラズマ密度nはこの分布形状に影響なく、相対値のみに効く。)(6)またVの掃引によりdを変化させ、透過X線を変化させて、その依存性からT_e計測ができる新発想の吸収法を実証した。以上の様に、T_e,n,z_<eff>に複雑に依存する、空乏層を用いた従来のX線計測の原理的困難を解決する、我々の独創に基づく電子温度計測の新原理・新方式の着想を実証した。今後は、更にこの新手法を一般にいかに安価で、簡便な方法に拠って普及させ、多くの研究者に簡単に役立ててもらえるかを考える、「実用段階」を検討してゆく計画である。
This year, the following specific new methods are used for measuring electronic temperature T_e. (1) First, the thickness of the depleted layer of the measuring instrument d∝V^<1/2> (V is externally applied with a voltage), the time of V is scanned, and the time of the depleted layer is changed by absorbing X-rays.この时, (2) The depletion layer is thick and the depletion layer is thick. The depletion layer is behind the depletion layer and there is no electric field field. (3) On the one hand, the X-ray generation charge distribution shape in the deep direction in the non-electric field area and the X-ray attenuation distribution shape in the non-electric field area are determined. (4) これら, X-ray エネルギーにdepends on the generated distribution, がdifferent なるcharge が, no electric field field でthree-dimensional scattering し, X-ray incident non-near adjacent チャンネルに拡 scatter し, incident エネルギーに unique の拡 scattered charge distribution shape る. (5) The shape of the scatter distribution is formalized, the new sensitivity theory is calculated and analyzed, and the incident X-ray or electron temperature is determined. (The distribution shape of the density nはこの affects the effect of the なく, the phase relationship.) (6) The またVのsweeping によりdを変化させ, を変化させて through The above parameters, T_e,n,z_<eff>, depend on each other, and the depletion layer is measured using X-rays. The difficulty of the principle has been solved, and I have come up with a new principle and new method of electronic thermometer measurement based on my own original ideas and proved it. From now on, we will update the new method, the general method, the simple method, the popular method, and the multi-purpose method. The researcher's work is based on the research and development of the project.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Cho et al.: "Effects of Neutrons on Semiconductor X-Ray Detectors Including n-Type Joint European Torus and p-Type GAMMA10 Tomography Detectors"Review of Scientific Instruments. 70,No.1. 577-580 (1999)
T.Cho 等人:“中子对半导体 X 射线探测器的影响,包括 n 型联合欧洲环面和 p 型 GAMMA10 断层扫描探测器”科学仪器评论。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Sakamoto et al.: "Characterization of a Semiconductor Detector and Its Application for Ion Diagnostics Using a Novel Ion Energy Spectrometer" Review of Scientific Instruments. 70. 857-860 (1999)
Y.Sakamoto 等人:“半导体探测器的表征及其使用新型离子能谱仪进行离子诊断的应用”科学仪器评论。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Y.Sakamoto et al.: "Characterization of a Semiconductor Detector and Its Application for Ion Diagnostics Using a Novel Ion Energy Spectrometer"Review of Scientific Instruments. 70,No.1. 857-860 (1999)
Y.Sakamoto 等人:“半导体探测器的表征及其使用新型离子能谱仪进行离子诊断的应用”科学仪器评论。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Cho et al.: "A New Principle in Plasma Electron-Temperature Diagnostics Using a Semiconductor X-ray Detector"Plasma Devices and Operations. 7,No.2. 85-92 (1999)
T.Cho 等人:“使用半导体 X 射线探测器进行等离子体电子温度诊断的新原理”等离子体设备和操作。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Cho et al.: "Characterization and Interpretation of the Quantum Efficiencies of Multilayer Semiconductor Detectors Using a New Theory" Journal of Synchrotron Radiation. 5. 877-879 (1998)
T.Cho 等人:“使用新理论对多层半导体探测器的量子效率进行表征和解释”同步辐射杂志。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
長 照二其他文献
長 照二的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('長 照二', 18)}}的其他基金
新型SOI構造半導体による核融合生成荷電粒子・電子・イオン温度 同時計測器提唱開発
使用新型SOI结构半导体同时测量核聚变产生的带电粒子、电子和离子温度的装置的提案和开发
- 批准号:
15656233 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research