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超強磁場における希薄磁性半導体の遠赤外-可視領域での磁気光学的研究

超强磁场中远红外-可见区稀磁半导体的磁光研究

基本信息

批准号：
11125205
负责人：
松田康弘
金额：
$ 1.34万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11125205/
关键词：
超強磁場サイクロトロン共鳴希薄磁性半導体

项目摘要

希薄磁性半導体Cd_<1-x>Mn_xTe、In_<1-x>Mn_xAsについて、100T以上の超強磁場下で電子のサイクロトロン共鳴を観測した。サイクロトロン質量はMn濃度xによって大きく変化する。変化の符号はバンドギャップのxによる変化の符号と等しく、Cd_<1-x>Mn_xTeでは正、In_<1-x>Mn_xAsでは負となる。室温近傍での電子の有効質量は実効値として、Cd_<1-x>Mn_xTe、In_<1-x>Mn_xAsそれぞれについて0.091+0.12x(m_0)、0.0235-0.030x(m_0)と得られた。これらの知見はDMSを用いたデバイスの設計などの観点から重要であると考えられる。また、サイクロトロン質量の温度変化のx依存性から、電子のサイクロトロン運動がs(p)-d交換相互作用を介した磁化の影響を強く受けていることを明らかにした。平均場近似の描像に基づいた8バンドのk・p摂動によって、超強磁場下での電子のサイクロトロン質量を計算し、その温度依存性を各Mn濃度について調べたところ、計算は実験で得られた傾向を半定量的に説明することがわかった。しかしながら、温度による変化率の絶対値は計算では実験値の半分程度となり、定量的には説明することができなかった。結晶の歪みや格子欠陥、または平均場近似的なs(p)-d交換相互作用の取り扱いの限界に起因した理由が考えられるが、現状ではその起源は不明である。仮に、平均場近似を超える理論的な取り扱いが重要であることが証明できれば、磁気ポーラロン問題や強相関物質における有効質量の問題とも深く関わった問題となり、電子相関が顕著になる場合の電子の運動に関して新たな知見を与えると期待できる。

Thin magnetic semiconductors Cd_Mn_xTe and In_Mn_xAs are expected to be tested for electron resonance in ultra-strong magnetic fields above 100 T.<1-x><1-x>The quality of the product is Mn concentration x. The symbol of transformation is opposite to the symbol of transformation, Cd_Mn_xTe is opposite to positive, In_Mn_xAs is opposite to negative.<1-x><1-x>The effective mass of electrons near room temperature is 0.091 + 0.12x (m_0), 0.0235 - 0.030x (m_0), and Cd_Mn_xTe, In_Mn_xAs are obtained.<1-x><1-x>This is the first time I've seen a DMS. The temperature dependence of the mass of the electron on x, the electron motion on s (p)-d exchange interaction, and the influence of magnetization are strongly influenced by x. Average Field Approximation and Mapping: Calculation of electron mass under ultra-high magnetic field, temperature dependence of Mn concentration, semi-quantitative explanation of electron tendency For example, the temperature change rate is calculated by the temperature change rate and the temperature change rate is calculated by the temperature change rate. Crystallization of the lattice is incomplete, the average field approximation of the s (p)-d exchange interaction of the boundary of the reasons for the examination, the status quo of the origin of the unknown The theoretical choice of the mean field approximation is important, the proof is important, the magnetic field problem is important, the mass problem is important, the electron correlation problem is important, the electron motion is important, and the expectation is important.