大口径電子サイクロトロン共鳴プラズマ中の電子温度制御

大直径电子回旋共振等离子体中的电子温度控制

• 批准号: 02J09192
• 负责人: 板垣 奈穂
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02J09192/
• 关键词: ECRプラズマ; 電子温度制; パワー吸収; マイクロ波; 微結晶シリコン薄膜; プラズマプロセス; シランプラズマ; 電子温度制御; 窒素解離特性

1.低電子温度ECRプラズマの生成機構電磁波動測定および波動解析コードTASK/WFを用いたパワー吸収の計算結果から、ECRプラズマ中の電子温度は電磁波のパワー吸収分布に依存しており、パワー吸収が集中して生じているとき電子温度は高く、その分布が広がりを持っているとき電子温度は低くなる傾向にあることが分かった。従って、ECRポイントでの磁場勾配やマイクロ波周波数等により実効的な共鳴幅を変化させることによってもパワー吸収分布が変化し、電子温度が制御されることが考えられる。次に異なる共鳴幅におけるプラズマパラメータ及び電磁波動測定を行ったところ、磁場勾配およびマイクロ波周波数の違いによるパワー吸収分布の変化が確認され、またそれに伴う電子温度の変化が観測された。以前から2.45GHzよりも低い周波数の電磁波で生成されたECRプラズマ源では電子温度が低く、高エネルギーの電子成分が少ないことが報告されていたが、本研究で初めて電磁波の低周波数化による低電子温度プラズマの生成機構が明らかにされた。2.SiH_4/H_2ECRプラズマにおける電子温度制御およびSi系薄膜の作製1の結果をもとに、Si系薄膜の作製に用いられるSiH_4/H_2プラズマにおける電子温度制御を試みたところ、電子温度は3eVから8eVまで制御可能であることが分かった。またイオン飽和電流空間分布の測定結果から、SiH_4/H_2ECRプラズマにおける電子温度の変化も電磁波のパワー吸収分布の違いに起因していることが確認された。次に、電子温度の異なる条件下で実際に微結晶シリコン薄膜の製膜実験を行い、電子温度と結晶性の関係を調べた。結果、比較的電子温度が高い領域で結晶性の向上がみられ、結晶性は電子温度が低いときの方が良いとされている過去の報告とは逆の傾向を示していた。また、これまで高い圧力領域下で結晶性の良い微結晶シリコン薄膜が製膜されたという報告が大半であったが、本研究においてECRプラズマCVD法により低い圧力領域下で結晶性の良い微結晶シリコン薄膜を得ることができた

1. Low temperature ECR temperature electromagnetic wave generation mechanism electromagnetic wave dynamic determination of thermal wave motion analysis of thermal wave motion calculation results of thermal shock absorption calculation results of thermal energy absorption calculation results, thermal absorption distribution dependence of thermal absorption distribution of low temperature ECR generator, low temperature electromagnetic wave generation mechanism, low temperature electromagnetic wave generation mechanism, low temperature electromagnetic wave generation mechanism, electromagnetic wave dynamic determination, thermal wave analysis, thermal absorption calculation results, thermal absorption calculation results, thermal absorption distribution, high temperature, high temperature, high The temperature of the electric machine is low and the temperature is lower than that of the electric machine. The distribution of the temperature field and the temperature control system of the ECR, the temperature control system, and so on. The total amplitude of the equipment is very high, and that of the electromagnetic wave measurement system, the magnetic field configuration, the wave cycle number, the absorption distribution, the confirmation, the temperature response, the temperature response, the frequency, the temperature, the frequency, the temperature, the temperature, In the past, low-cycle electromagnetic waves generated by low-cycle electromagnetic waves were used to generate low-temperature 2.45GHz waves, low-temperature electromagnetic waves, low-cycle electromagnetic The temperature control of the 2.SiH_4/H_2ECR system and the temperature control system of the Si system thin film. The results show that the performance of the Si system thin film is affected by the temperature control of sih _ 4/H_2 thin film. The temperature of the electron is controlled by the temperature of the electron. The temperature of the 3eV is controlled by the temperature of the 8eV. The results of the measurement of the space distribution of electric currents and currents, the results of the measurement of the space distribution of current and the temperature of the electrons, the temperature of the electrons, the temperature of the magnetic waves, the absorption of the magnetic waves, the distribution of the magnetic waves, the cause, the temperature, the magnetic wave, the absorption distribution, the cause, the temperature, the magnetic wave, the absorption distribution, the cause, the temperature, the magnetic wave, the absorption distribution, the cause, the temperature, the absorption Under the condition of sub-temperature and electron temperature temperature, the operation of international micro-crystal thin film and the crystallization of electron temperature are very important. The results show that the temperature of the electronic temperature is higher than that of the electronic temperature in the field, and the crystalline temperature is higher than that of the electronic temperature in the field. In the field of high pressure and high pressure, the results show that most of the films have been reported in the field of high pressure. In this study, the ECR method was used to improve the performance of the thin film in the field of high pressure.

项目成果

板垣 奈穂: "Relationship between the electron temperature and the power absorption profile in ECR plasma"16th Int.Symposium on Plasma Chemistry. (CD-ROM). (2003)

Naho Itagaki：“ECR 等离子体中电子温度与功率吸收曲线之间的关系”第 16 届国际等离子体化学研讨会（CD-ROM）。

板垣 奈穂: "Electron-temperature dependence of nitrogen dissociation in 915 MHz ECR plasma"Thin Solid Films. Vol.435. 253-259 (2003)

Naho Itagaki：“915 MHz ECR 等离子体中氮解离的电子温度依赖性”薄固体薄膜，第 435 卷（2003 年）。

板垣 奈穂: "Control of the electron temperature by varying the resonance zone width in ECR plasma"Thin Solid Films. (in press). (2004)

Naho Itagaki：“通过改变 ECR 等离子体中的共振区宽度来控制电子温度”薄固体薄膜（2004 年出版）。

板垣 奈穂: "Electron-temperature dependence of nitrogen dissociation in 915 MHz ECR plasma"Thin Solid Films. (in press). (2003)

Naho Itagaki：“915 MHz ECR 等离子体中氮离解的电子温度依赖性”固体薄膜（2003 年）。

板垣 奈穂: "Behaviour of the molecular dissociation in 915 MHz ECR nitrogen plasma"Proceedings of 5th International Conference on Reactive Plasmas. vol.1. 319-320 (2002)

Naho Itagaki：“915 MHz ECR 氮等离子体中的分子解离行为”第五届国际反应等离子体会议记录第 1 卷（2002 年）。