微細フラッシュメモリ型トランジスタにおける電子波干渉と電子相関

微型闪存晶体管中的电子波干扰和电子关联

基本信息

  • 批准号:
    11875075
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

我々が提案している微細フラッシュメモリ型トランジスタは、SOIウエハを使用する構造となっている。しかし、現在市場においては、2インチSOIウエハは存在しないため、6インチウエハから2インチウエハを形成する必要がある。昨年度は、微細フラッシュメモリ型トランジスタを広島大学のナノデバイス・システム研究センターにおいて作製するための準備として、直径6インチのSOIウエハから直径2インチのSOIウエハを作製するプロセスを開発した。今年度は、この2インチSOIウエハを用いて、実際に、直列多重接合を持つ単一電子トランジスタを形成し、その低温電気伝導特性の評価・解析を行った。このデバイスは、ソース、ドレイン、ゲート及びクーロン・アイランドが全てSOI基板のトップSi層に存在するインプレーン構造を有し、クーロン・アイランドも高ドープされている。低温においてクーロン・ギャップ及びクーロン振動が観測されており、クーロン・ギャップの大きさ等の解析からこのデバイスの電気伝導特性にはチャージ・ソリトンが影響している事を示唆した。今後、多重接合の数に対する伝導特性の変化等の研究を行うと伴に、本プロセスを基に微細フラッシュメモリ型トランジスタの作製に展開していく。今年度この他に関連研究として、酸化膜2重障壁単電子トランジスタの低温電気特性を評価した。これは、酸化膜を障壁とした場合のクーロンブローケイドの特性という点で研究課題と関連している。ploly-Siドットのサイズを小さくすると、周期的なクーロン振動を示すデバイスが多くなる事が判った。
We propose a fine structure for SOI applications. The market is now in the middle of the market, 2 SOI exist in the middle of the market, 6 2 Last year, the preparation and development of SOI with a diameter of 6 mm and SOI with a diameter of 2 mm were carried out. This year, we will evaluate and analyze the electrical conductivity characteristics at low temperature by using the two kinds of SOI technology in practice and in series. The silicon layer of the SOI substrate is fabricated from silicon, and silicon. Low temperature vibration analysis of the electrical conductivity of the temperature sensor, such as temperature sensor, temperature sensor and temperature sensor, shows the influence of temperature sensor on the electrical conductivity of the temperature sensor. In the future, the study on the variation of the conduction characteristics of the multiple junction will be carried out. In this paper, the authors evaluate the low temperature electrical characteristics of acidified films with high electron barrier properties. The characteristics of acidified film are studied in this paper. Ploly-Si alloy is made of small and periodic materials.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
伊東裕平: "酸化膜二重障壁トランジスタの作製と電気的特性"平成14年第49回応用物理学関連連合講演会. 28a-K-2 (2002)
伊藤雄平:“氧化物双势垒晶体管的制造和电性能”第 49 届应用物理学会讲座 2002. 28a-K-2 (2002)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Anri Nakajima: "Si single-electron tunneling transistor with nanoscale floating dot stacked on a Coulomb island by self-alined process"Journal of Vacuum Science & Technology B. 17巻5号. 2163-2172 (1999)
Anri Nakajima:“通过自对准工艺在库仑岛上堆叠纳米级浮点的硅单电子隧道晶体管”《真空科学与技术杂志》B. 第 17 卷,第 5 期。2163-2172 (1999)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Anri Nakajima: "Fabrication of Si and Metal Nanoscale Dot Structures and Their Application to Single-Electron Devices :"Recent Research Development in Applied Physics, Vol.2,1999. 2巻・2号. 637-716 (2000)
Anri Nakajima:“硅和金属纳米点结构的制造及其在单电子器件中的应用:”应用物理学的最新研究进展,第 2 卷,第 2 卷,第 2 期。637-716 (2000)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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