非中性状態から中性状態に遷移するプラズマの特性変化

電子の閉込めに関して,生成法・制御法・画像技術を用いた計測法は大幅に進展した.[1-8.但し11.のリストの上から数えた番号で論文を参照する.]特に中性化に伴う不安定振動の検出のため,導体壁に埋込んだセクタープローブによる静電誘導検出効率について定量的な検討を行った.その内容は次のとおりである.まず,画像計測によって得られる密度分布を基盤にして,円筒導体内の二次元面内で電位分布と電場分布とを数値計算で高速に決定する手法を開発した.円筒導体表面における電場から表面電荷密度分布を決定することができるから,時間差のある画像間の表面電荷密度の差分からプローブ電流を決定することができる.この電流は独立にプローブ計測で測定することができる.両者を比較すると,画像計測で完全に密度分布が決定できるかぎり,プローブ信号とは良く一致することが,初めて確認された.[3]イオン源に関しては,磁場強度と質量に依存して決る密度上限(Brillouin Limit)が最も高い水素イオン生成を目的として,いくつかの問題点の解明に当ってきた.水素含浸のチタンリング・スタックの放電による水素イオン源を完成した.一方でアルカリ金属と水素の化合体を電子ビームで分解して水素イオンを作る方法を試験した.CaH_2を用いた実験では水素イオンビームのパルス的引出しに成功した.電子からの変換効率は5E-6程度であり,他の実験データと矛盾しない.ただし微粒子による,ポンプやバルブ周辺の汚染が克服すべき問題である.イオンの閉込めに関しては,やはり磁場の弱さ(<500G)がネックである.1KG近い磁場で動作するトラップが完成間近であるので,そちらで電子とイオンを同居させて,中性化に伴う物理現象の検証を続行する.

電子の閉込めに関して,生成法・制御法・画像技術を用いた計測法は大幅に進展した.[1-8.但し11.のリストの上から数えた番号で論文を参照する.]特に中性化に伴う不安定振動の検出のため,導体壁に埋込んだセクタープローブによる静電誘導検出効率について定量的な検討を行った.その内容は次のとおりである.まず,画像計測によって得られる密度分布を基盤にして,円筒導体内の二次元面内で電位分布と電場分布とを数値計算で高速に決定する手法を開発した.円筒導体表面における電場から表面電荷密度分布を決定することができるから,時間差のある画像間の表面電荷密度の差分からプローブ電流を決定することができる.この電流は独立にプローブ計測で測定することができる.両者を比較すると,画像計測で完全に密度分布が決定できるかぎり,プローブ信号とは良く一致することが,初めて確認された.[3]イオン源に関しては,磁場強度と質量に依存して決る密度上限(Brillouin Limit)が最も高い水素イオン生成を目的として,いくつかの問題点の解明に当ってきた.水素含浸のチタンリング・スタックの放電による水素イオン源を完成した.一方でアルカリ金属と水素の化合体を電子ビームで分解して水素イオンを作る方法を試験した.CaH_2を用いた実験では水素イオンビームのパルス的引出しに成功した.電子からの変換効率は5E-6程度であり,他の実験データと矛盾しない.ただし微粒子による,ポンプやバルブ周辺の汚染が克服すべき問題である.イオンの閉込めに関しては,やはり磁場の弱さ(<500G)がネックである.1KG近い磁場で動作するトラップが完成間近であるので,そちらで電子とイオンを同居させて,中性化に伴う物理現象の検証を続行する.