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超低損失パワーデバイス用ワイドギャップ半導体SiCの界面電子物性制御

超低損失パワーデバイス用ワイドギャップ半導体SiCの界面電子物性制御
超低损耗功率器件宽禁带半导体SiC界面电子特性的控制
批准号：
00J03400
负责人：
矢野 裕司
金额：
$0.64万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-00J03400/
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ＳｉＣ横型超接合パワーＭＯＳＦＥＴによるワンチップ相補型電力変換器の開発
  • 批准号：
    23K22810
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.82万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    矢野 裕司
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
Development of one-chip complementary inverters using SiC lateral super-junction power MOSFETs
  • 批准号：
    22H01540
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.98万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    矢野 裕司
  • 依托单位：
    University of Tsukuba
超低損失パワーデバイスを目指したSiCトレンチMOS構造の研究
  • 批准号：
    17760254
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    矢野 裕司
  • 依托单位：
    Nara Institute of Science and Technology
新結晶面を有するSiCのMOS構造電子物性の制御
  • 批准号：
    15760222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.43万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    矢野 裕司
  • 依托单位：
    Nara Institute of Science and Technology