液滴エピタキシー法による半導体量子ドットレーザーの作製及びその光物性と電子状態
液滴エピタキシー法による半導体量子ドットレーザーの作製及びその光物性と電子状態
液滴外延法制备半导体量子点激光器及其光学性质和电子态
批准号：
00J09187
负责人：
間野 高明
金额：
$1.28万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 2001
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格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究
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批准号：24K01367
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.9万
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财政年份：2024
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负责人：間野 高明
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依托单位：
自己組織化による量子リング構造の形成とその光物性
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批准号：17710106
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2005
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负责人：間野 高明
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依托单位：