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Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体における強電子格子相互作用と強電子相関

Pd/Ni混晶卤桥金属配合物中强电子晶格相互作用和强电子相关性

基本信息

批准号：
12023255
负责人：
岩野薫
金额：
$ 0.96万
依托单位：
The High Energy Accelerator Research Organization
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体(Ni_xPd_<(1-x)>(chxn)_2Br_3)の基底状態について理論的な考察を行った。特に、それまでに筆者自身によって平均場近似により得られていた予想、すなわち、「少なくもとNi濃度が50%を超えると、ハロゲン格子変位が全域的に消失し、同時にNiのみならずPdイオンもスピン1/2を有する3価になる」を確かめるべく、以下の3点についてより深い研究を行った。1.Ni濃度の連続的な増加に対応した格子変位の消失過程。2.NiバンドとPdバンドの重心がずれた効果。3.平均場近似を超えた電子相関の効果。まず第1点については、この過程が電子格子相互作用によって敏感に変化することがわかった。すなわち、より弱い電子格子相互作用に対して格子変位はより急激に消失する。また適当な同相互作用の値を選ぶと実験で得られているラマン強度の組成比依存性を定性的に説明できることが分かった。次に第2点および第3点については、これらはどちらも現実の系において存在する効果であり、それまでの研究において無視されていたものあったが、本研究では、それらの効果をモデルに顕わに取り入れて扱った。その結果、まず前者においては、そのズレによって一方から他方への電荷移動が起きてそれに起因する格子変位が発生するが、それは格子の零点振動程度で微少であること、そして、第3点については、電子相関を取り入れても平均場近似と同じ結論が得られることを確かめた。

A Theoretical Investigation of the Base State of Pd/Ni Mixed Crystal Bridging Metal Complexes (Ni_xPd_<(1-x)>(chxn)_2Br_3) In particular, the average field approximation of the author's own,"less than 50% Ni concentration,""less than 50% Ni concentration," less than 50% Ni concentration," 1. The continuous increase of Ni concentration corresponds to the disappearance process of lattice position. 2. The center of gravity of Ni and Pd is displayed. 3. Average field approximation results in electron correlation. The first point is that the process of electron lattice interaction is sensitive to change. The weak electron lattice interaction causes the lattice position to disappear rapidly. A qualitative explanation of the interaction between the two groups is given. The second and third points are the results of the study. The result shows that the first point is the average field approximation and the third point is the electron correlation.