Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体における強電子格子相互作用と強電子相関

Pd/Ni混晶卤桥金属配合物中强电子晶格相互作用和强电子相关性

基本信息

批准号：
12023255
负责人：
岩野薫
金额：
$ 0.96万
依托单位：
The High Energy Accelerator Research Organization
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体(Ni_xPd_<(1-x)>(chxn)_2Br_3)の基底状態について理論的な考察を行った。特に、それまでに筆者自身によって平均場近似により得られていた予想、すなわち、「少なくもとNi濃度が50%を超えると、ハロゲン格子変位が全域的に消失し、同時にNiのみならずPdイオンもスピン1/2を有する3価になる」を確かめるべく、以下の3点についてより深い研究を行った。1.Ni濃度の連続的な増加に対応した格子変位の消失過程。2.NiバンドとPdバンドの重心がずれた効果。3.平均場近似を超えた電子相関の効果。まず第1点については、この過程が電子格子相互作用によって敏感に変化することがわかった。すなわち、より弱い電子格子相互作用に対して格子変位はより急激に消失する。また適当な同相互作用の値を選ぶと実験で得られているラマン強度の組成比依存性を定性的に説明できることが分かった。次に第2点および第3点については、これらはどちらも現実の系において存在する効果であり、それまでの研究において無視されていたものあったが、本研究では、それらの効果をモデルに顕わに取り入れて扱った。その結果、まず前者においては、そのズレによって一方から他方への電荷移動が起きてそれに起因する格子変位が発生するが、それは格子の零点振動程度で微少であること、そして、第3点については、電子相関を取り入れても平均場近似と同じ結論が得られることを確かめた。

理论上研究了PD/NI混合晶体交联金属复合物（Ni_xpd _ <（1-x）>（CHXN）_2BR_3）的基态。特别是，为了确认作者本人通过平均磁场近似所获得的预测，也就是说：“如果NI浓度至少超过50％，则卤素晶格位移在整个地区都消失了，与此同时，不仅在NI中，不仅在NI中，而且PD离子也会在Spin 1/2中均可进行1/2“我们进行三分之二的研究，我们进行了三分之二的研究。 1。晶格位移的消失过程对应于Ni浓度连续增加。 2。在Ni和PD带之间移动重心的效果。 3。电子相关性超出平均场近似值的影响。首先，发现该过程通过电子晶格相互作用而敏感地改变。也就是说，对于较弱的电子晶格相互作用，晶格位移消失得更快。还发现，选择相同相互作用的适当值可以定性地解释实验中获得的拉曼强度的组成比依赖性。接下来，对于第2和第3点，这两个都是实际系统中存在的效果，并且在先前的研究中被忽略，但是在这项研究中，这些效果显然被纳入了模型中。结果，已经证实，在前者中，偏差导致电荷从一个到另一个，导致晶格位移引起的晶格位移，但这只是晶格的零点振动的一小部分，而对于第三点，与平均场近似相同的结论即使采用了电子近似值，也可以获得相同的结论。