Geordnete und nanostrukturierte Fullerenschichten in Organischen Feldeffekt-Transistoren

有机场效应晶体管中的有序纳米结构富勒烯层

基本信息

项目摘要

Ziel dieses Projektes ist es, die wissenschaftlichen Grundlagen für die Funktion, Herstellung und Charakterisierung von organischen Feldeffekt-Transistoren mit einer strukturierten Fullerenschicht als Kanalmaterial zu schaffen. Die OFET könnten als Schlüsselbauelemente zukünftiger Chipkarten und Displays dienen. Dazu sollen die Technologie zur Erzeugung geordneter und nanostrukturierter Fullerenschichten entwickelt und deren Transporteigenschaften untersucht werden. Die elektrischen Eigenschaften dieser Schichten sollen durch elektrochemische Dotierung gezielt beeinflußt werden. Weiterhin sollen als Ausblick die Untersuchungen auf Zwei-Schicht-Systeme bestehend aus einer hochorientierten C60-Schicht und einer geeigneten Oligomer-Schicht (z.B. Hexathiophen, Benzidin-Derivate) erweitert und ihre Anwendbarkeit in elektronischen Bauelmenten grundsätzlich geklärt werden.
Ziel dieses Projektes ist, die wissenschaftlichen Grundlagen fundlagen, r die Funktion, Herstellung and Charakterisierung von organischen feldeffekter -晶体管,einer struckturierten Fullerenschicht and kanalmaterials zu schaffen。Die OFET könnten al schl<e:1> sselbauelemente zuk<e:1> nftiger Chipkarten and Displays dienen。大足太阳能模具技术有限公司,德国,德国,德国,德国,德国,德国。(1)电子化学特征分析:电子化学特征分析:电子化学特征分析:电子化学特征分析Weiterhin sollen als Ausblick死Untersuchungen auf Zwei-Schicht-Systeme bestehend来自静脉hochorientierten C60-Schicht和静脉geeigneten Oligomer-Schicht (z.B, Hexathiophen Benzidin-Derivate) erweitert和您在elektronischen Anwendbarkeit Bauelmenten grundsatzlich geklart了。

项目成果

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