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チェレンコフ効果による非平衡キャリアーの速度飽和特性解析

切伦科夫效应非平衡载流子速度饱和特性分析

基本信息

批准号：
12875001
负责人：
陽完治
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

これまで、半導体中のキャリアの速度の測定は、従来タイム・オブ・フライト法やパルス・ホール効果などが知られていたが、実際の短チャンネル構造における高電界中の飽和速度を正確に測定することは難しかった。また、1次元などの低次元電子系の場合も電圧端子が取り出せないために、比較的低次元の移動度を直接求めることも難しかった。本課題で取り組んだ方法は、キャリアの放出する光学フォノンの伝達速度は音速程度(10^5〜10^6cm/sec)であるのに対し、半導体中のキャリアの飽和速度は、およそ10^6〜10^7cm/secのオーダーになることから電子により放出された光学フォノンのチェレンコフ・コーン広がりから直接キャリアの飽和速度を見積もることである。チェレンコフ・コーン状に広がった非平衡フォノンを顕微ラマン分光法を利用して探るという方法で、AlGaAs/GaAsヘテロ構造の高電子移動度トランジスタのソースからドレインへ高電界で加速された電子からのフォノン観測を試みた。励起レーザー光によりAlGaAs障壁層からフォトルミネッセンス光が出てくるため、AlGaAs障壁層に埋まったチャンネル領域にできるだけ近付いて、チャンネルからのフォノンを捕らえるべく、最高の解像度0.8ミクロンステップで画像データを集積した。現在、データを解析中であるが、最も有力なGaAs中のLOフォノンによる反ストークスシフトのデータ点の分布解析からは、チャンネルエッジからのフォノン放射の明確な痕跡は今のところ認められていない。可能性としては、チャンネルのエッジから漏れてきたフォノンは、本測定の測定限界である約1ミクロン以下の距離で減衰してしまったことが考えられる。フォノン放射の特定の可能性はさらに低いと思われるが、測定した全波長範囲での解析を研究期間終了後も進めるつもりである。

これまで、Measurement of speed in semiconductors、などがIt is difficult to measure the saturation speed in the high electric field and to know the structure of the short circuit and the saturation speed in the high electric field. In the case of the low-dimensional electronic system of the 1-dimensional electronic system, the voltage terminal is taken out and the low-dimensional movement degree of the comparison is directly obtained. This topic is based on the method of taking the set and the release of the キャリアのoptical light to reach the speed of sound (1 0^5~10^6cm/sec)であるのに対し、Saturation speed of semiconductor medium、およそ10^6~10^7cm/secォノンのチェレンコフ・コーン広がりからDirect キャリアのsaturated speed を见综合もることである. Non-equilibrium spectroscopy method, AlGaAs/Ga Astron's high electron mobility structureインへ高电界でACCELERATIONされた电からのフォノン観testをtestみた. Raise the light of the AlGaAs barrier layerス光が出てくるため、AlGaAs barrier layer burying collar Domain にできるだけNearly pay いて, チャンネルからのフォノンをCapture らえるべく、The highest resolution is 0.8ミクロンステップでimage collectionした. Now, the analysis of データを中であるが, the most powerful なGaAs 中のLOフォノンによるanti-ストークスシフトのデータPoint の distribution analysisからは、チャンネルエッジからのフォノンradiationのclear tracesは日のところ见められていない. Possibility of the test, test of the test The distance between the definite limit and the limit is about 1 ミクロン or less. The specific possibility of フォノンradiation is low and low, and the full wavelength range is measured and analyzed after the research period has ended.