Punktdefektanalyse undotierter, bor- und sauerstoffarmer GaAs-Czochralski-Kristalle mit verschiedener, aber definierter Stöchiometrieabweichung und Kohlenstoffkonzentration

对具有不同但定义的化学计量偏差和碳浓度的未掺杂、贫硼和贫氧 GaAs 直拉晶体进行点缺陷分析

• 批准号: 5308744
• 负责人: Professor Dr. Peter Rudolph
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2000-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5308744?language=en
• 关键词: Punktdefektanalyse; undotierter; bor; und; sauerstoffarmer

Wie bei Silicium bereits seit Jahren bekannt, gewinnt die Beherrschung der Punktdefekte auch in GaAs mit stetig verbesserter Materialqualität zunehmend an Bedeutung. Der heutige Kenntnisstand ist, verglichen mit Silicium, jedoch noch geringer. Bedingt durch die übliche Verwendung von B2O3-Abdeckschmelzen bei der Züchtung wird der Einbau von Bor in den Kristall forciert, was die Effizienz der mittels Ionenimplantation hergestellten Bauelemente (FET's) beeinflußt. Die zunehmende Wichtigkeit epitaktischer Bauelemente (HBT's) erfordert zudem eine deutliche Verringerung der die Waferoberflächenqualität beeinträchtigenden Arsenpräzipitate. Die Antragsteller beherrschen ein modifiziertes Czochralski-Verfahren, mit dem es möglich ist, sowohl mit als auch ohne B2O3-Deckschicht unter einem bestimmten Arsendampfdruck zu züchten. Letzteres bietet die Möglichkeit, die Stöchiometrie oder eine -abweichung im Kristall gezielt einzustellen und für eine Verringerung der Arsenausscheidungen zu nutzen. Hiermit sind auch Rückschlüsse auf den noch nicht geklärten Solidusverlauf des GaAs-Phasendiagrammes sowie den as-grown-Haushalt an Eigenpunktdefekten möglich. Weiterhin interessieren der stöchiometrierelevante Einbau von Fremdverunreinigungen, vornehmlich leichter Elemente wie C, B, O, N, H sowie deren Wechselwirkung mit dem Kristallgitter und den Eigenpunktdefekten. Diese Untersuchungen besitzen neben ihrem grundlegenden Charakter sehr wichtige Anwendungsaspekte und werden deshalb vom Industriepartner des Projektes, Freiberger Compound Materials GmbH, inhaltlich und mit Geldwertesachleistungen unterstützt.

随着硅元素的出现，GaAs中的Punktdefekte的性能也得到了改善，材料质量也得到了改善。这是一个很好的知识体系，用硅来装饰，但还不够。B2 O3的渗透-Züchtung附近的Abdeckschmelzen将在Kristall中强制执行Einbau von Bor，这是Ionenimplantation hergestellten Bauelemente（FET）的影响。HBT（异质结双极晶体管）是一种德国式的半导体封装材料，其质量优于砷化物。该烧结机是一种改进的直拉法烧结机，它具有很高的硬度，因此也有B2 O3-Deckschicht，用于烧结一种最好的砒霜。Letzteres bietet die Möglichkeit，die Stöchiometrie oder eine -abweichung im Kristall gezielt einzustellen und für eine Verringerung der Arsenausscheidungen zu nutzen. Hiermit sind auch Rückschlüsse auf den noch nocht geklärten Solidusverlauf des GaAs-Phasenomes sowie den as-grown-Haushalt an Eigenpunktdefekten möglich.在与Fremdverunreinigungen的结构相关的结构中，C、B、O、N、H等元素的含量与晶体结构和特征点的含量有关。这些研究成果得到了项目工业合作伙伴Freiberger Compound Materials GmbH的广泛认可，并得到了该公司的韦尔登的认可。