プラズマプロセスにおけるプラズマ表面相互作用の数値シミュレーションによる解明
使用数值模拟阐明等离子体过程中的等离子体表面相互作用
基本信息
- 批准号:01J03914
- 负责人:
- 金额:$ 1.92万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2001
- 资助国家:日本
- 起止时间:2001 至 2003
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度は、前年度までに構築した古典的分子動力学のための原子間相互作用モデルをもとにして、酸化物SiO_2のエッチング機構の解明をすべく数値計算を進めた。結果は定性的、おおかた定量的にも実験事実と矛盾無く、この研究により、100-1000eVにおけるビーム表面相互作用を対象とする古典的分子動力学による数値計算手法を確立したといえる。1)上記の数値計算を行う上で必要なSi/O/C/F系の原子間相互作用モデルを改善し、ポテンシャル上のあらゆる点で微分可能とし、なめらかな力場を構成可能にした。2)1)と計算コードの改良により、計算速度を10倍程度早めることでき、1回の入射過程の計算を1時間以内とできた。これにより、1つのパラメータに関して、2週間以内に結果をだすことができるようになり、数値計算を実用的な範囲にした。3)前年度までに問題となっていたC膜の堆積過程の再現について、適当な分子間力を導入することにより、堆積過程も実験と定性的にあう範囲で再現することができた。4)SiO_2表面上にF,CF,CF_2,CF_3を入射する数値計算を100-450eVで行った。表面状態、エッチ生成物、イールドなど種々のパラメータを求めた。また、これらをASETのビーム実験グループと比較して、広い範囲で矛盾のない結果を得ていることを確認した。5)エッチング過程が、ドーズ量に依存することを明確に示した。高ドーズで堆積を生ずる場合でも、低ドーズではエッチングが生じている。6)イールドについては、F,CF,CF_2,CF_3に関して、質量(分子量)に依存するスケールング則が得られた。これは、ビーム実験(ASET)における研究と一致した。
This year, the classical molecular dynamics and interatomic interactions were constructed and the numerical calculation of the mechanism of the acid SiO_2 was carried out. The results are qualitative and quantitative, and the results are consistent with those of classical molecular dynamics, such as 100-1000eV. 1)The above numerical calculation is necessary to improve the atomic interaction of Si/O/C/F system. 2)1) Calculation speed is 10 times faster than the original calculation speed, and the calculation time of the incident process is less than 1. The results within 2 weeks are calculated according to the range used. 3)In the past year, the problem of the reproduction of the deposition process of C film was solved. The appropriate intermolecular force was introduced. The qualitative process of deposition was solved. 4) Calculation of incident F, CF, CF_2, CF_3 on SiO_2 surface from 100 eV to 450eV. Surface condition, product, color, color In addition, the results of ASET's application were confirmed. 5) The process and quantity are clearly indicated. The high end of the pile is produced in the case of low end, and the low end is produced in the case of high end. 6) If F, CF, CF_2, CF_3 and mass (molecular weight) depend on each other, the results are obtained. This is the first time I have ever seen such a thing.
项目成果
期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Ohta, S.Hamaguchi, M.Wakatani, H.Yamada: "Numerical simulation of thermal relaxation processes during SiO_2 etching by CF_x beams"Proceedings of ICPIG XXVI (Greifswald, Germany, July 15-20,2003). 97-98 (2003)
H.Ohta、S.Hamaguchi、M.Wakatani、H.Yamada:“CF_x 束蚀刻 SiO_2 期间热弛豫过程的数值模拟”ICPIG XXVI 会议记录(德国格赖夫斯瓦尔德,2003 年 7 月 15-20 日)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
太田裕朗, 浜口智志, 若谷誠宏: "CF_xによるSiO_2エッチングにおける表面反応の分子動力学シミュレーション"第7回分子動力学シンポジウム講演論文集. 1-4 (2002)
Hiroaki Ota、Satoshi Hamaguchi、Masahiro Wakatani:“CF_x SiO_2 蚀刻中表面反应的分子动力学模拟”第七届分子动力学研讨会论文集 1-4 (2002)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Ohta, S.Hamaguchi, M.Wakatani: "Molecular dynamics simulation of Si and SiO_2 etching by CF_3 by using a newly developed potential model"Proceedings of ESCAMPIG16-ICRP5 (ESCAMPIG16-ICRP5 committee, Grenoble, 2002). 153-154 (2002)
H.Ohta、S.Hamaguchi、M.Wakatani:“使用新开发的势模型对 CF_3 进行 Si 和 SiO_2 蚀刻的分子动力学模拟”ESCAMPIG16-ICRP5 会议记录(ESCAMPIG16-ICRP5 委员会,格勒诺布尔,2002 年)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Hamaguchi, H.Ohta: "Surface molecular dynamics of Si/ SiO_2 reactive ion etching"Vacuum. 66. 189 (2002)
S.Hamaguchi、H.Ohta:“Si/ SiO_2 反应离子蚀刻的表面分子动力学”真空。
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