ワイヤレスマルチメディア用GHz信号伝送マイクロバンプ超高密度実装技術の研究
无线多媒体GHz信号传输微凸块超高密度封装技术研究
基本信息
- 批准号:13025208
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
- 财政年份:2001
- 资助国家:日本
- 起止时间:2001 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では、1つの端末で複数の電波を受信し復調する、ワイヤレスマルチメディア用ソフトウェア無線端末を超小型実装し得る新しい実装技術の開発を目指し、GHz信号伝送マイクロバンプ超高密度実装技術の基礎技術開発を目指した。従来のワイヤボンディングより飛躍的に実装面積を縮小でき高周波信号伝送を可能にする数十ミクロン径マイクロバンプによるフリップチップ高密度実装におけるバンプ高周波特性をシミュレーションし、3次元実装の基礎技術確立を検討した。具体的には、高周波回路解析シミュレータとLSI設計ツールを用いて100〜数十ミクロン径バンプの高周波特性を評価した。平成13年度は、以下の研究を行った。・50〜100ミクロン径バンプの高周波特性(伝搬損失・位相特性)を高周波シミュレーションにより評価。2GHz帯までは100ミクロン径でも伝送可能、5GHz帯では50ミクロン径の法が損失・位相変化の点で有効であるとの知見を得た。・ソフトウェア無線用3次元実装方法としてバンプを用いて配線長を縦方向に極力縮小する設計手法について検討を行なった。3次元実装技術の基盤技術を確立した。・バンプ実装を活用してプログラマブルデバイスを実現し得る点に着目し、新しいRFプログラマブルデバイスを考案した。以上、ワイヤレスマルチメディア情報を1つの端末で受信・復調するソフトウェア無線端末の実現のための高密度実装技術としてのマイクロバンプ実装技術の高周波特性を評価し、GHz伝送におけるバンプ実装の基盤を確立した。また、バンプを用いて作製する低コストRFプログラマブルデバイスを新たに考案し、その詳細を検討した。その結果、GHz信号伝送情報端末実現の為の高密度バンプ実装技術の基盤を確立した。
This study で は, 1 つ の end で plural の waves を trusted し polyphony す る, ワ イ ヤ レ ス マ ル チ メ デ ィ ア with ソ フ ト ウ ェ ア wireless end を subminiature be loaded し る new し い loading technology be の open 発 を refers し, GHz signal 伝 マ イ ク ロ バ ン プ equipped with high density be technology based technology open 発 の を refers し た. 従 to の ワ イ ヤ ボ ン デ ィ ン グ よ り leap に be loaded area is narrow を で き high frequency signal 伝 may send を に す る dozens ミ ク ロ ン diameter マ イ ク ロ バ ン プ に よ る フ リ ッ プ チ ッ プ high-density be loaded に お け る バ ン プ high frequency feature を シ ミ ュ レ ー シ ョ ン し, three yuan be loaded の based technology to establish を beg し 検 た. Specific に は, high frequency circuit analytical シ ミ ュ レ ー タ と LSI design ツ ー ル を with い て ~ 100 dozens ミ ク ロ ン diameter バ ン プ の high frequency feature を review 価 し た. In the 13th year of Heisei, を, and the following を research fields った. Diameter, 50 ~ 100 ミ ク ロ ン バ ン プ の high frequency feature (伝 move loss, phase characteristic) を high frequency シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に よ 価 り assessment. 2 GHZ 帯 ま で は 100 ミ ク ロ ン diameter で も 伝 may, 5 GHZ 帯 で は 50 ミ ク ロ ン diameter の method が loss, phase - change point の で have sharper で あ る と の knowledge を た. · ソ フ ト ウ ェ ア wireless in three dimensional loading method be と し て バ ン プ を with い て wiring long を に 縦 direction to narrow す る design gimmick に つ い て 検 line for を な っ た. Three-dimensional installation technology を base disk technology を established た. · バ ン プ be loaded を use し て プ ロ グ ラ マ ブ ル デ バ イ ス を be し now be る に し, new し い RF プ ロ グ ラ マ ブ ル デ バ イ ス を test case し た. Above, ワ イ ヤ レ ス マ ル チ メ デ ィ ア intelligence を 1 つ の end で trusted, polyphonic す る ソ フ ト ウ ェ ア wireless end の be presently の た め の equipped with high density be technology と し て の マ イ ク ロ バ ン プ loading technology be の high frequency feature を review 価 し, GHz 伝 send に お け る バ ン プ be loaded の base plate を establish し た. ま た, バ ン プ を with い て cropping す る low コ ス ト RF プ ロ グ ラ マ ブ ル デ バ イ ス を new た し に test case, そ の detailed を beg し 検 た. The そ <s:1> result of the <s:1>, the GHz signal 伝 signal transmitter at the end of the actual occurrence of the <s:1> is the high-density バ <e:1> プ プ actual installation technology <s:1> base disk を established た た.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
K.Tsubouchi: "A New Concept of 3-Dimensional Multilayer-Stacked System-in-Package for Software-Defined-Radaio"IEICE Trans.Electron. E84-C. 1730-1734 (2001)
K.Tsubouchi:“软件定义 Radaio 的 3 维多层堆叠系统级封装的新概念”IEICE Trans.Electron。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
横山 道央: "GHz帯通信用シリコンRF-CMOSパワーアンプの高効率化"電気学会電子回路研究会(2001年6月28日、山形大学). ECT-01-36. 17-21 (2001)
Michio Yokoyama:“提高 GHz 频段通信的硅 RF-CMOS 功率放大器的效率”,日本电子电路研究小组电气工程师学会(2001 年 6 月 28 日,山形大学)(ECT-01-36)。 )
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
横山 道央其他文献
横山 道央的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('横山 道央', 18)}}的其他基金
ユビキタス端末用シリコン通信機能モジュールの研究
泛在终端硅通信功能模块研究
- 批准号:
16760265 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
マイクロバンプ実装による機能可変アナログRF-FPGAの開発
使用微凸块实现开发可变功能模拟 RF-FPGA
- 批准号:
14040204 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
通信用シリコン超小型アクティブ・バリアブルL/C素子の開発
开发用于通信的超紧凑硅有源可变 L/C 装置
- 批准号:
14750252 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
有機デバイスの高密度実装に向けた柔軟微細配線の研究開発
用于有机器件高密度封装的柔性精细互连件的研发
- 批准号:
22KJ2167 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ファンによる冷却を行う高密度実装電子機器の簡易高精度熱設計手法に関する研究
风扇冷却高密度电子器件简单高精度热设计方法研究
- 批准号:
11J10167 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高密度実装機器のための階層型配置設計最適化法
高密度封装设备分层布局设计优化方法
- 批准号:
20656030 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
先端LSIの高密度実装を可能にする金バンプ・レジスト薄膜の超精密切削平担化技術
金凸块和抗蚀剂薄膜的超精密切割和平整技术,可实现先进LSI的高密度封装
- 批准号:
17760097 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
高密度実装半導体の超水浸超音波映像検査システムの開発
高密度封装半导体超水浸式超声波图像检测系统开发
- 批准号:
03J07019 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
順序論理システム高密度実装設計アルゴリズムの対話形技法による高速化に関する研究
利用交互技术加速时序逻辑系统高密度实现设计算法的研究
- 批准号:
57850109 - 财政年份:1982
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research