Silizium-Hochratenätzen zur Herstellung tiefer Trenches für Super-Junction-Strukturen in der Hochvolt-PowerMOS Anwendung

Ziel des Forschungsvorhabens ist es，ein Neues Herstellungsverfahren für die in der文学ALS“Super Junction(SJ)”bekannten p-n-Dotierungsstrukturen für die Hochvolt-PowerMOS-Anwendung zu valuieren.BEI der Implementierung des SJ-Ansat in einen PowerMOS-prozeükommt es darauf an，den Einsat zbereich der PowerMOS Transistoren für höhere Sperrspannungen，ohne erheblichen Anstieges des Durchlaüwderstand es(Rdson)，zu erweitern.SJ-Anatz auf der Herstellung von nebeninander liegenen p-und n-dotierten Gebieten，die je nach SperrspannungsSpezifikation bis约1000 V des PowerMOS Bauelementes，eine Tiefe bis zu 100µm erfordern könen.Bei Verwendung n-dotier底物Müssen Tiefe p-Gebiete dch geeignete Bor-Dotierung erzeugt.在垂直的沟渠中，二氧化硅和二氧化硅相互缠绕，形成一条战壕。Zur Erzeugung Tiefer在Bereich 100微米Wird das Hochratenätzen eingesetzt，das z.Zt.在Mikrosystem Technik angewendt wird中，快速使用Strukturerzeugung。从“超级连接”到“超级连接”的作用是从新的经济和经济的角度来看，这是一种有效的经济补偿方式，也是一种有效的经济补偿方式。在DEM beantragten Projekt soll die abhängikeit der Verarmung der Zellgebiete von geometrie and Dotierung für unterschiedliche Sperrspannungsbereiche untersuthht hden.Ladungskomensation(SJ-Effekt)将使用Dioden-and Vartel-Strukturen Untersuht and MIT der Simulative Verglichen。

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, ein neues Herstellungsverfahren für die in der Literatur als "Super Junction (SJ)" bekannten p-n-Dotierungsstrukturen für die Hochvolt-PowerMOS-Anwendung zu evaluieren. Bei der Implementierung des SJ-Ansatzes in einen PowerMOS-Prozeß kommt es darauf an, den Einsatzbereich der PowerMOS Transistoren für höhere Sperrspannungen, ohne erheblichen Anstieg des Durchlaßwiderstandes (RDSon), zu erweitern. Technologisch basiert der SJ-Ansatz auf der Herstellung von nebeneinander liegenden p- und n-dotierten Gebieten, die je nach Sperrspannungsspezifikation bis ca. 1000 V des PowerMOS Bauelementes, eine Tiefe bis zu 100µm erfordern können. Bei Verwendung n-dotierter Substrate müssen tiefe p-Gebiete durch geeignete Bor-Dotierung erzeugt werden. Für die Realisierung der vertikalen "Dotierungssäule" wird eine Ausdiffusion aus Bor-dotiertem Siliziumdioxid entlang der Seitenwände tiefer Trenches angewendet. Zur Erzeugung tiefer Trenches im Bereich 100µm wird das Hochratenätzen eingesetzt, das z.Zt. fast ausschließlich für die Strukturerzeugung in der Mikrosystemtechnik angewendet wird. Der physikalische Effekt der "Super Junction" beruht auf der Ladungskompensation (vollständige Verarmung) der nebeneinanderliegenden p-n-Säulen derart, daß aufgrund der niedrigeren effektiven Dotierung eine höhere Durchbruchsspannung als bei einem planaren pn-Übergang gleicher Substratdotierung erreicht wird. In dem beantragten Projekt soll die Abhängigkeit der Verarmung der Zellgebiete von Geometrie und Dotierung für unterschiedliche Sperrspannungsbereiche untersucht werden. Die Ladungskompensation (SJ-Effekt) wird an Dioden- und Varactor-Strukturen untersucht und mit der Simulation verglichen.