フラッシュメモリの検査

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バッテリー駆動の携帯用電子機器の普及により,記憶素子としてフラッシュメモリが多用されている.しかし,そのテスト方法はいまだに確立されていない.従来のフラッシュメモリのテストでは,妨害故障(disturbance faults)と呼ばれる故障だけを対象にテストパターンの提案がなされていた.本研究では,NORタイプのフラッシュメモリのセル内にブリッジ故障と呼ばれる物理的欠陥を挿入し,その故障によって引起される故障動作をシミュレーション上で確認し,故障検出のパターン生成のアルゴリズムを提案した.以下にその概要を述べる.1.対象とする故障は,メモリセルを構成するトランジスタの端子間のブリッジ故障(セル内ブリッジ故障),及びセル内の信号線間のブリッジ故障(セル間ブリッジ故障)である.2.これらの故障をSpice上の回路で構成し,シミュレーションベースで故障動作を観測した.3.この観測結果から,ブリッジ故障は,縮退故障,論理故障,妨害故障を引起すことを確認した.これらは通常のメモリと同様の故障動作であることが判明した.4.以上の故障を検出するためのテストパターン生成アルゴリズムを提案した.提案したテストパターン生成アルゴリズムは,メモリセル数(ビット数)に線形に比例したテストパターン長であり,また他の従来のテストパターンより短いテスト長で,かつ同様かそれ以上の故障検出能力があることが判明した.本年度は,以上のように,物理故障(ブリッジ故障)を挿入したフラッシュメモリの故障動作を回路シミュレーションベースで調べ,これらの結果から抽象的な故障モデル(機能故障)を構築した.またこれらの故障を検出するテストパターンを提案した.