TiO_2/SiMOS 構造の作成評価に関する研究

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電子デバイス作成プロセスおよび物理評価技術,電気特性評価,温度特性評価方法,1/fゆらぎ解析技術を習得するとともに,電子デバイスの基本構造であるMOSFET,ホールデバイスの雑音特性を測定し,低周波ゆらぎ特性を明らかにした.特にMOS構造に表れるRTS雑音の温度特性測定手段を開拓しRTS雑音と構造内のトラップとの関係を明らかにすると共に,量子井戸構造のメモリー特性とゆらぎの関係を明らかにし,さらにヘテロ構造の低温におけるゆらぎ電力と移動度との関係を明らかにして,半導体における輸送現象と1/fゆらぎとの関係を明らかにした.ヘテロ接合に関してはInGaAs/InAIAsヘテロ接合構造ホール効果素子を作製し,移動度および電子濃度の温度依存性を20-300Kの間で明らかにし,ゆらぎ振幅との関連を明らかにした.真性半導体のゆらぎ係数α_Hの温度依存性を実験的に求め,理論的に予測される値との比較を行った結果,従来の理論結果との比較にくらべて定量的に一致する結果を得,ゆらぎ研究分野での80年の疑問を明らかにする結果を得た.同ヘテロ接合の移動度,電子濃度については量子力学で理論的に予測される値も導出し,実験値との比較も行った.さらにP型InGaAsの結晶成長を新しく行い,P型とn型間での相違についても実験的に確かめた.これらの研究結果は国際会議発表6件を含む計12件の論文発表として公表された.派遣もとの指導教官も日本チェコ2国間共同研究プロジェクトにより,年2回は本校を訪問し,研究結果の議論・研究指導に参加して共同研究の成果を上げることが出来た.