三元タリウムカルコゲン層状化合物の光誘起メモリー効果

三元铊硫族层状化合物的光致记忆效应

• 批准号: 13740180
• 负责人: 加藤 有行
• 金额: $ 0.19万
• 依托单位: Nagaoka University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2001
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2001 至 2002
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-13740180/
• 关键词: TlGaS_2; 光誘起メモリー効果; 構造相転移; フォトルミネセンス; 励起子吸収; ラマン散乱; TlInS_2

三元タリウムカルコゲン化合物TlMeX_2(Me=In,Ga,X=S,Se,Te)の中で,Gaを中心として4つのSからなる四面体GaS_4の層の間にTl原子が鎖状に連なる層状構造を持つTlGaS_2に対して低温で光照射を行うと,深い準位からの発光帯の強度が減少することを見出した.このスペクトルが変化した状態は低温においては長時間持続することから,光誘起メモリー効果とみなすことができ,この効果はある温度以上に上昇させると消失することを明らかにした.TlGaS_2等の層状化合物は,温度を下げていくと常誘電相(半導体相)から非整合相,非整合相から強誘電相(整合相)へと二度構造相転移することが知られているが,励起子吸収の温度変化(ピークシフト異常),ラマン散乱スペクトルの温度変化(ラマン線の分裂)から二つの相転移温度を見積もり,それらの温度が光誘起メモリー効果の消失が起こり始めるのに必要な温度,完全に消失するのに必要な温度にそれぞれ対応していることを明らかにした.これらの結果は2002年10月にパリで開催された第13回三元・多元化合物に関する国際会議で発表し,論文をJournal of Physics and Chemistry of Solidsに発表した(現在印刷中).

In the ternary compounds TlMeX_2(Me=In,Ga,X=S,Se,Te), the Ga atoms are located at the center of the tetrahedral GaS_4, and the Tl atoms are connected in a lock-like manner between the layers. The layered structure of the ternary compounds TlMeX_2 (Me= In, Ga, X = S, Se, Te) is observed. The temperature of the layered compounds such as TlGaS_2 is lower than the temperature of the layered compounds such as TlGaS_2, and the temperature of the layered compounds such as TlGaS_2 is lower than the temperature of the layered compounds such as TlGaS_2. Non-conformity phase, strongly induced phase (conformity phase), second-order structural phase shift, temperature variation of excitation absorption (Abnormal), temperature change (line splitting), phase shift temperature change, phase shift temperature change. The results were presented at the 13th International Conference on Ternary Multidimensional Compounds in October 2002. Paper presented in Journal of Physics and Chemistry of Solids (now in press).