チオガレート系同一母体白色蛍光体の創製と白色発光素子の開発
チオガレート系同一母体白色蛍光体の創製と白色発光素子の開発
批准号:
18750166
负责人:
加藤 有行
金额:
$2.37万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 2007
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
チオガレート化合物にランタノイド希土類元素Ceを添加すると青緑色領域に,Euを添加すると黄緑色領域に高効率かつスペクトル幅の広い発光を示すため,これらの発光を組み合わせると白色に近い発光が得られるが,より白色に近い発光を得るためには,Ce発光をより短波長側に,Eu発光をより長波長側にシフトさせる必要がある.Ce発光の短波長側へのシフトは,母体のチオガレートCaGa_2S_4化合物中のII族元素であるCaを他のII族元素Sr,Baに置換することで実現可能であることはわかっているので,18年度は,もう一方のEu発光を長波長側にシフトさせることを目的として,母体のCaGa_2S_4化合物中のIII族元素であるGaを他のIII族元素In,La,Yに置換することでEu発光中心の周りの結晶場を変化させることを試みた.その結果,Eu添加CaY_2S_4が最も高効率の発光を示したが,波長が740nmと逆に長くなりすぎたため,19年度は,さらにこのEu添加CaY_2S_4中のII族元素であるCaを他のII族元素Sr,Baに置換することで,発光波長の制御を試みた.硫化物粉末を原料として,真空中で950℃の温度で24時間の焼結を行った結果,室温での紫外線励起のもとで,Srに置換したEu添加SrGa_2S_4が波長約635nm,Baに置換したEu添加BaY_2S_4が600nmとより短波長側の発光を示し,Eu添加CaGa_2S_4の緑黄色発光から,黄色〜赤色へと発光色を制御することができ,II-III_2-S_4系のみによる白色蛍光体のみならずフルカラー蛍光体への道を開くことができた.これらの得られた成果は今秋,ドイツで開催される国際会議において発表する予定である.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
MBE growth of Mn-doped Zn-Sn-As compounds on (001) InP substrates
(001) InP 衬底上 Mn 掺杂 Zn-Sn-As 化合物的 MBE 生长
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Journal of Crystal Growth 301-302
影响因子:
--
作者:
[J.T. Asubar, A. Kato, T. Kambayashi, S. Nakamura, Y. Jinbo, N. Uchitomi]
通讯作者:
N. Uchitomi
Thin film formation by rf sputtering with EuGa_2S_4 target and photoluminescence of the prepared films
EuGa_2S_4靶材射频溅射薄膜形成及制备薄膜的光致发光
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
physica status solidi (c) 3
影响因子:
--
作者:
[M.Dohi, A.Kato, M.Sumitani, S.Iida]
通讯作者:
S.Iida
Electrotransport Properties of p-ZnSnAs2 Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on Semi-insulating (001) InP Substrates
半绝缘 (001) InP 衬底上分子束外延生长的 p-ZnSnAs2 薄膜的电传输性能
DOI:
--
发表时间:
2008
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics 47
影响因子:
--
作者:
[H. Itoh, S. Honda, J. Inoue, H. Yanagihara E. Kita, J.T. Asubar,]
通讯作者:
J.T. Asubar,
Charge Compensation Effect on Photoluminescence Properties of Stoichiometric Neodymium Molybdate and Tungstate
电荷补偿对化学计量钼酸钕和钨酸盐光致发光性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Journal of Physics and Chemistry of Solids 66
影响因子:
--
作者:
[A.Kato, S.Oishi, T.Shishido, M.Yamazaki, S.Iida]
通讯作者:
S.Iida
Thin film electroluminescent cells on the basis of Ce-doped CaGa_2S_4 and SrGa_2S_4 prepared by flash evaporation method
闪蒸法制备的Ce掺杂CaGa_2S_4和SrGa_2S_4薄膜电致发光电池
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
physica status solidi (c) 3
影响因子:
--
作者:
[E.Gambarov, A.Bayramov, A.Kato, S.Iida]
通讯作者:
S.Iida
Eu光学遷移を利用したストイキオメトリック希土類硫化化合物レーザー媒質
-
批准号:15740178
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$2.11万
-
财政年份:2003
-
负责人:加藤 有行
-
依托单位:
三元タリウムカルコゲン層状化合物の光誘起メモリー効果
-
批准号:13740180
-
项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
-
资助金额:$0.19万
-
财政年份:2001
-
负责人:加藤 有行
-
依托单位: