Doppelbrechung in anisotrop nanostrukturiertem Silicium

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Ziel des Vorhabens ist die Erforschung des von uns entdeckten Phänomens der Doppelbrechung in anisotrop nanostrukturierten Siliciumschichten (poröses Silicium) und mit dessen Hilfe die Untersuchung von Adsorptionsvorgängen auf Oberflächen und Kondensationsvorgängen in den Poren nanostrukturierter Materie. Im Vorhaben sollen Möglichkeiten erprobt werden, eine polarisationabhängige Anisotropie der dielektrischen Eigenschaften in den porösen Siliciumschichten zu erzielen welche die Doppelbrechung bewirkt. Das Vorhaben kann zur Anwendung von Siliciumkomponenten in optoelektronischen Kommunikationssystemen führen, z. B. in der Form von Phasenplättchen, die den Polarisationszustand elektromagnetischer Strahlung beeinflussen. Auf der Grundlage der bereits gewonnenen Erkenntisse der Modifikation der dielektrischen Anisotropie poröser Siliciumschichten durch Füllung der Poren mit verschiedenen dielektrischen Substanzen eröffnet sich die Möglichkeit, hochempfindliche Sensoren für Gase und Flüssigkeiten zu entwickeln, die poröse Siliciumschichten als Detektionselemente beinhalten.