Unordnungseffekte in magnetischen Halbleitern und Halbleiternanostrukturen
磁性半导体和半导体纳米结构中的无序效应
基本信息
- 批准号:5327202
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2001
- 资助国家:德国
- 起止时间:2000-12-31 至 2005-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Magnetische Halbleiter (MHL) und verdünnte magnetische Halbleiter sind Materialien, die in Bauelementen der Spinelektronik zum Einsatz kommen werden. Die Eigenschaften dieser Halbleiter werden durch den Einbau magnetischer Ionen bestimmt. Im Projekt sollen die fundamentalen Probleme der inhärenten Unordnung der MHL untersucht werden, die für ihre Nutzung als optoelektronisches bzw. elektronisches Material wichtig sind. MHL können auch als Modellsubstanzen dienen, um Unordnungsphänomene in dimensionsreduzierten Halbleiterstrukturen zu untersuchen. Einen Zugang zu den relevanten Fragestellungen bildet dabei die Abhängigkeit der elektronischen Eigenschaften vom magnetischen Verhalten, welche ihrerseits stark durch die statistische Verteilung der magnetischen Ionen, durch Clusterbildung und Segragationseffekte, durch Oberflächen- und Grenzflächenbeschaffenheit bestimmt bzw. beeinflußt werden. Es sollen Relaxationsprozesse der Ladungsträger und Exzitonen und ihrer Spins studiert werden. Neben den bereits in nichtmagnetischen Mischkristallen und Heterostrukturen auftretenden Streumechanismen der Ladungsträger sollte die Spin-Spin Streuung zwischen freien Spins und lokalisierten magnetischen Momenten an Bedeutung gewinnen. Auf der Seite der III-V-MHL werden die Systeme (Ga,Mn)As und GaAs:MnAs bearbeitet. Es sollen die fundamentalen elektronischen und magnetooptischen Eigenschaften untersucht werden. Für das Mischkristallsystem (Ga,Mn)As steht dabei die Frage nach dem Einfluß der Kompositionsunordnung sowie auch die Frage nach dem Grenzflächeneinfluß im Vordergrund. Für das System GaAs:MnAs soll die Wechselwirkung zwischen den MnAs:Ga-Quantenpunkten und dem Wirtsmaterial in Abhängigkeit von der Größe und Verteilung der ferromagnetischen Quantenpunkte untersucht werden. Die Eignung als spinausrichtender Halbleiter in Heterosystemen soll geklärt werden. Als II-VI Halbleiterheterostrukturen auf der Basis verdünnter MHL stehen die Untersuchungen zum Mechanismus der Glättung der unordnungsbedingten Potentialfluktuationen und seine Anisotropie in einem äußeren Magnetfeld im Mittelpunkt. Der Mechanismus ist im Detail zu klären. Die Untersuchungen werden auf Schichten mit Quantendimensionseffekt ausgedehnt, wobei der Grenzflächenfluß in die Diskussion einzubeziehen ist.
磁Halbleiter(MHL)和磁Halbleiter都是材料,它们都是韦尔登器件的组成部分.这一特点是通过建造一个磁性的电离层来获得韦尔登。Im Projekt sollen die fundamentalen Probleme der inhärenten Unordnung der MHL untersucht韦尔登,die für ihre Nutzung als optoelektronisches bzw. elektronisches Material wichtig sind. MHL können auch als Modellsubstanzen dienen,um Unordnungstellänomene in dimensionsreduzierten Halbleiterstrukturen zu untersuchen.一个相关的碎片图像可以通过对磁场的统计、磁场的培养和分离以及磁场的垂直和垂直分布进行估计来获得。beeinflußt韦尔登。这是韦尔登研究的唯一一项拉伸和拉伸的松弛过程。Neben den bereits in nichtmagnetischen Mischkristallen and Heterostrukturen auftretenden Streumechanismen der Ladungsträger sollte die Spin-Spin Streuung zwischen freien Spins and lokalisierten magnetischen Momenten an Bedeutung gewinnen.在III-V-MHL韦尔登中,(Ga,Mn)As和GaAs:MnAs系均具有较好的稳定性。这是解决基本的电子和磁光特性的韦尔登。对于Mischkristallsystem(Ga,Mn)As steht dabei die Frage nach dem Einfluenza der Compositionsunordnung sowie auch die Frage nach dem Grenzflächeneinfluenza im Vordergrund.对于GaAs:MnAs系统,在铁磁量子点韦尔登的吸收和测试中,可以选择GaAs:MnAs:Ga量子点和Wirts材料。Die Eignung als spinausrichtender Halbleiter in Heterosystemen soll gekläRT韦尔登。所有II-VI Halbleiterheterostrukturen auf der Basis verdünnter MHL stehen die Untersuchungen zum Mechanismus der Glättung der Unordnungsbedingten Potentialfluktuationen and seine Anisotropie in einem äußeren Magnetfeld im Mittelpunkt. Der Mechanismus ist im Detail zu klären.在Schichten上的韦尔登具有所需的量子尺寸,而在重力场中的重力场则是如此。
项目成果
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