Unordnungseffekte in magnetischen Halbleitern und Halbleiternanostrukturen

磁力哈布利特(MHL)和弗德恩特磁力哈布利特Sind材料，死在Bauelementen和Spinelektronik zum einatz komden。本征象是对哈伯莱特柴油机的磁感应强度进行了估算。Im Projekt Sollen De Fununentalen in härenten Unordnung der MHL unordnung in MHL unordnung，die für ihre Nutzung ALS Optiktronisches bzw.elektronisches材料wichtig sind.MHL können是一种物质的形式，它的大小不同于它们的大小。在此基础上，提出了一种新的统计方法-。对拉东斯特拉格和埃齐托宁的松弛和自旋进行了研究。这是一种新型的自旋流自旋式自旋流，它的自旋自旋流是一种特殊的自旋流，也是一种非道德式的自旋。AUF DER SEITE DER III-V-MHL是由(Ga，Mn)As和GaAs：MNAs构成的系统。对电光和磁光的基本原理进行了研究。Für das Mischkristallsystem(Ga，Mn)as steht dabe die Frage nach dem Efluüder KompostionSunordnung Sowie Auch die Frage nach dem Grizflächeneifuüim Vordergrund.Für das系统GaAs：MNAs soll die Wechselwirkung zwitchen den MNAs：Ga-Quantpenkten and DEM WirtsMaterial in ABHänGigkeit von der Gröe and Verteilung der Iron Magictischen Quantpenkte untersuht den.在异质结晶者身上发现了一种新的营养物质--卤素。在此基础上，我们可以从这些基础上得到第二至第六种可能的波动和各向异性。《机械原理》详细介绍了祖克伦的作品。在我们的讨论中，我们不能理解这一点。

Magnetische Halbleiter (MHL) und verdünnte magnetische Halbleiter sind Materialien, die in Bauelementen der Spinelektronik zum Einsatz kommen werden. Die Eigenschaften dieser Halbleiter werden durch den Einbau magnetischer Ionen bestimmt. Im Projekt sollen die fundamentalen Probleme der inhärenten Unordnung der MHL untersucht werden, die für ihre Nutzung als optoelektronisches bzw. elektronisches Material wichtig sind. MHL können auch als Modellsubstanzen dienen, um Unordnungsphänomene in dimensionsreduzierten Halbleiterstrukturen zu untersuchen. Einen Zugang zu den relevanten Fragestellungen bildet dabei die Abhängigkeit der elektronischen Eigenschaften vom magnetischen Verhalten, welche ihrerseits stark durch die statistische Verteilung der magnetischen Ionen, durch Clusterbildung und Segragationseffekte, durch Oberflächen- und Grenzflächenbeschaffenheit bestimmt bzw. beeinflußt werden. Es sollen Relaxationsprozesse der Ladungsträger und Exzitonen und ihrer Spins studiert werden. Neben den bereits in nichtmagnetischen Mischkristallen und Heterostrukturen auftretenden Streumechanismen der Ladungsträger sollte die Spin-Spin Streuung zwischen freien Spins und lokalisierten magnetischen Momenten an Bedeutung gewinnen. Auf der Seite der III-V-MHL werden die Systeme (Ga,Mn)As und GaAs:MnAs bearbeitet. Es sollen die fundamentalen elektronischen und magnetooptischen Eigenschaften untersucht werden. Für das Mischkristallsystem (Ga,Mn)As steht dabei die Frage nach dem Einfluß der Kompositionsunordnung sowie auch die Frage nach dem Grenzflächeneinfluß im Vordergrund. Für das System GaAs:MnAs soll die Wechselwirkung zwischen den MnAs:Ga-Quantenpunkten und dem Wirtsmaterial in Abhängigkeit von der Größe und Verteilung der ferromagnetischen Quantenpunkte untersucht werden. Die Eignung als spinausrichtender Halbleiter in Heterosystemen soll geklärt werden. Als II-VI Halbleiterheterostrukturen auf der Basis verdünnter MHL stehen die Untersuchungen zum Mechanismus der Glättung der unordnungsbedingten Potentialfluktuationen und seine Anisotropie in einem äußeren Magnetfeld im Mittelpunkt. Der Mechanismus ist im Detail zu klären. Die Untersuchungen werden auf Schichten mit Quantendimensionseffekt ausgedehnt, wobei der Grenzflächenfluß in die Diskussion einzubeziehen ist.