Präparation von Dünnschichten aus kristallinem SiGeC mittels lasergestützter Methoden (A 9)
Präparation von Dünnschichten aus kristallinem SiGeC mittels lasergestützter Methoden (A 9)
使用激光辅助方法制备晶体 SiGeC 薄膜 (A 9)
批准号：
5330534
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
1996
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
1995-12-31 至 2001-12-31
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