Anlage zur Präparation und Charakterisierung von organischen Elektronikbauelementen

纳米体系化学(CNC)和国际组织化学(IOC)是在Leitung von教授Frank Würthner and den Nachwuchsgruppenleitern博士Agnieszka Nowak-Krógruppenleitern博士和博士Florian Beuerle Neue Organizche Materiallen von约20 wischaftlen en Mitarbetern Synthetisiert、ALS组织Halbleiter、Absorber和发射者Sichtbaren Spektralbereich and Nahfotbereich Spektralbereich and NahInfarotbereich zesatingebratingebrantenkönen博士的指导下合成的。从贝丁贡根到现在，我们已经找到了一种新的语言形式经过升华von unterschiedlichen Metallen，Metalloxiden and weiter kommerziell erhältlicher组织者Verbindungen im Hochvakuum MIT Hilfe vonmaügeschneiderten Schtenmasken Sollen Elektronikbauteile hersterellt Wen den，Death in beanteten Anlage Under Ausschluss von Sauerstoff and Feuchtigkeit elektronisch and optisch Characterisiert wen den können.AUF Grund der Empfindlichkeiten Vieler Akzeptor-und捐赠者-Materien Sowie der Elektroden and GrizfläChen gegenüber Sauerstoff and Feuchte Müssen alle Fertiungggsschritte Sowie die Charakterisierung Under möglichst inten ten Bedingungen erfolgen.

Am Zentrum für Nanosystemchemie (CNC) und am Lehrstuhl für Organische Chemie II des Instituts für Organische Chemie (IOC) werden unter der Leitung von Prof. Dr. Frank Würthner und den Nachwuchsgruppenleitern Dr. Agnieszka Nowak-Król und Dr. Florian Beuerle neue organische Materialien von ca. 20 wissenschaftlichen Mitarbeitern synthetisiert, die als organische Halbleiter, Absorber und Emitter im sichtbaren Spektralbereich und Nahinfrarotbereich zum Einsatz gebracht werden können. Für deren kontrollierte Verarbeitung unter inerten Bedingungen sowohl aus Lösung als auch im Vakuum zu dünnen Schichten mit definierter Dicke, Anisotropie, Morphologie und Zusammensetzung wird die neue Anlage bestehend aus Beschichtungskammern und Handschuhboxen benötigt. Durch Sublimation von unterschiedlichen Metallen, Metalloxiden und weiterer kommerziell erhältlicher organischer Verbindungen im Hochvakuum mit Hilfe vonmaßgeschneiderten Schattenmasken sollen Elektronikbauteile hergestellt werden, die in der beantragten Anlage unter Ausschluss von Sauerstoff und Feuchtigkeit elektronisch und optisch charakterisiert werden können. Auf Grund der Empfindlichkeiten vieler Akzeptor- und Donor-Materialien sowie der Elektroden und Grenzflächen gegenüber Sauerstoff und Feuchte müssen alle Fertigungsschritte sowie die Charakterisierung unter möglichst inerten Bedingungen erfolgen.