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高密度垂直磁気記録媒体用Sm-Co薄膜の開発と応用

高密度垂直磁记录介质Sm-Co薄膜的开发及应用

基本信息

批准号：
14750259
负责人：
武井重人
金额：
$ 1.79万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

スパッタリング法でSm-Co薄膜を作製し、次世代の超高密度磁気記録媒体の開発を目指した研究をおこなった。平成14年度はCu下地層を用いることにより垂直方向に磁化容易軸を有するSm-Co薄膜が形成できることを明らかになったので、平成15年度はCu下地層の結晶構造がSm-Co/Cu薄膜の磁気特性に及ぼす影響について検討した。具体的にはCu下地層作製時の基板温度、スパッタリングガス圧、下地層厚を変化させたときのSm-Co層の結晶構造ならびに磁気特性について検討した。Cu下地層作製時の作製条件を変化させ(111)面への配向度を向上させるとSmCo_5(002)面の回折線強度が増加し、Cu(111)面とSmCo_5(002)面のロッキングカーブの半値幅を比較することにより、Cu(111)面上にSmCo_5(002)面がエピタキシャル成長していることを明らかにできた。またCu(111)面の回折線強度の増加とともにSm-Co/Cu薄膜の垂直方向の保磁力が増加し、垂直磁気異方性を増加することができた。さらにSm-Co層厚について検討した。Sm-Co層厚を10nmから40nmに増加すると、SQUIDで測定した異方性磁界は約60kOeから170kOeに増加し保磁力は約8kOeから12kOeに増加した。最大異方性磁界値はバルク値(250kOe)の約70%に相当するので、垂直磁気記録媒体のみならずマイクロ・ナノ電子デバイスとして有望であると推察される。今後の課題として面内方向にヒステリシス曲線が残留していることが挙げられる。これはCu下地層の(111)面への不完全配向やSm-Co層作製時の基板加熱によるCu粒子の凝集によってSm-Co層内部のc面が基板面に対して傾くと推測している。この課題を解決するためCu下地層と同様なfcc構造をもち高融点材料を下地層として試みる必要がある。

In order to improve the performance of Sm-Co thin films, the next generation of ultra-high density magnetic recording media is used for research and research. In Pingcheng, the Cu in 14 years is easy to be magnetized vertically, and the Sm-Co film is easy to be magnetized. In Pingcheng, the magnetic properties and magnetic properties of Sm-Co/Cu thin films are fabricated in Pingcheng in 15 years. The Sm-Co/Cu films are characterized by the formation of Sm-Co/Cu thin films. The specific temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the Cu, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, and the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, the temperature of the substrate, the temperature of the substrate, the thickness of the ground, and the thickness of the ground Under the condition of Cu, the surface orientation of SmCo_5 (002) is improved, the bending strength of SmCo5 (002) is increased, the half-width of SmCo_5 (002) is higher than that of SmCo_5 (002). In the vertical direction, the magnetic force is maintained in the vertical direction, and the magnetic field is increased in the vertical direction of the Sm-Co/Cu film. The Sm-Co is thick and thick. The thickness of Sm-Co, the thickness of 10nm, the 40nm of magnetic field, the magnetic field of 60kOe, the magnetic field of 170kOe, the magnetic force of 8kOe, the magnetic field, the magnetic force, the magnetic About 70% of the maximum magnetic field temperature (250kOe) is very high, and the vertical magnetic recording media is very sensitive. It is expected that there is a significant impact on the performance of vertical magnetic recording media. In the future, the problem is that the in-plane direction is in the direction of the curve and that there is a residual problem. The surface of the ground surface under the Cu is not fully aligned to the Sm-Co when the substrate is added to the Cu particles to agglutinate the internal surface of the Sm-Co. The surface of the substrate is not fully aligned. In order to solve the problem, we need to use the fcc to make the material with high melting point and make the necessary material.