课题基金 / 基金详情

シリコン中の極微量不純物高感度検出

シリコン中の極微量不純物高感度検出
高灵敏度检测硅中的超痕量杂质
批准号:
14750246
负责人:
佐々木 哲朗
金额:
$2.3万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份:
2002
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2002 至 2003

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项目成果

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1.高精度・高感度を特徴とするフォトキャパシタンス測定装置の心臓部である容量計を更に高感度、高安定化すること、及び装置本体や測定試料の温度安定性を向上させ、従来装置と比較して1桁以上の感度向上を達成した。2.実際の産業応用として、外部研究機関による新開発ゲッタリング装置のゲッタリング性能評価手段として採用され、良好な結果を得た。p型シリコンウエハにCuを故意に汚染し、酸化膜成長しながら拡散後急冷した試料について、ゲッタリング処理を施したもの(1)、ゲッタリング処理を施していないもの(2)、さらに故意にCu汚染もゲッタリング処理も施していないもの(3)の3種類の試料を準備し、それぞれフォトキャパシタンス測定を適用した。その結果、シリコン中のCuに関連すると考えられる深い準位が検出され、深い準位量は明らかに(2)>(1)>(3)の順となることがわかり、ゲッタリングの有効性および妥当性が示された。シリコン中のCuに関連する準位を検出したことは、フォトキャパシタンス測定の重要な特徴であり、現在多く用いられているCu配線を用いた高速LSIなどの高温動作による故障モード解析などにも応用できる可能性があると考えられる。尚、本結果は論文投稿中である。3.遷移金属のひとつであるFeをシリコン中に故意に拡散した試料を用い、フォトキャパシタンス測定を適用して、従来測定技術では検出の難しかったFe準位を、極微量でも検出できることを示した。また、このFe不純物が形成する準位をキャリアライフタイムキラーとして応用する可能性を見出し、国際学会で口頭発表するとともに、論文発表した。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
J.Nishizawa, T.Sasaki: "Lifetime control by Fe doping in n-type silicon"Material Science in Semiconductor Processing. 6. 273-275 (2003)
J.Nishizawa、T.Sasaki:“n 型硅中 Fe 掺杂的寿命控制”半导体加工中的材料科学。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
J.Nishizawa, T.Sasaki: "Lifetime control by Fe doping in n-type silicon"1st International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry 2003 (ISPN2003) ABSTRACTS. 6 (2003)
J.Nishizawa、T.Sasaki:“n 型硅中 Fe 掺杂的寿命控制”2003 年第一届点缺陷和非化学计量国际研讨会 (ISPN2003) 摘要。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
テラヘルツ分光を用いた医薬品製造工程中の微量不純物検出の実現
  • 批准号:
    24K01510
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.9万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    佐々木 哲朗
  • 依托单位:
Qualitative and quantitative detection of trace impurities by precise lattice vibration measurement
  • 批准号:
    21H01339
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.32万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    佐々木 哲朗
  • 依托单位:
海外基金