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シリコン中の極微量不純物高感度検出

高灵敏度检测硅中的超痕量杂质

基本信息

批准号：
14750246
负责人：
佐々木哲朗
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Semiconductor Research Institute
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2002
资助国家：
日本
起止时间：
2002 至 2003
项目状态：
已结题

项目摘要

1.高精度・高感度を特徴とするフォトキャパシタンス測定装置の心臓部である容量計を更に高感度、高安定化すること、及び装置本体や測定試料の温度安定性を向上させ、従来装置と比較して1桁以上の感度向上を達成した。2.実際の産業応用として、外部研究機関による新開発ゲッタリング装置のゲッタリング性能評価手段として採用され、良好な結果を得た。p型シリコンウエハにCuを故意に汚染し、酸化膜成長しながら拡散後急冷した試料について、ゲッタリング処理を施したもの(1)、ゲッタリング処理を施していないもの(2)、さらに故意にCu汚染もゲッタリング処理も施していないもの(3)の3種類の試料を準備し、それぞれフォトキャパシタンス測定を適用した。その結果、シリコン中のCuに関連すると考えられる深い準位が検出され、深い準位量は明らかに(2)>(1)>(3)の順となることがわかり、ゲッタリングの有効性および妥当性が示された。シリコン中のCuに関連する準位を検出したことは、フォトキャパシタンス測定の重要な特徴であり、現在多く用いられているCu配線を用いた高速LSIなどの高温動作による故障モード解析などにも応用できる可能性があると考えられる。尚、本結果は論文投稿中である。3.遷移金属のひとつであるFeをシリコン中に故意に拡散した試料を用い、フォトキャパシタンス測定を適用して、従来測定技術では検出の難しかったFe準位を、極微量でも検出できることを示した。また、このFe不純物が形成する準位をキャリアライフタイムキラーとして応用する可能性を見出し、国際学会で口頭発表するとともに、論文発表した。

1. High accuracy, high sensitivity, high stability, high sensitivity, high stability, high sensitivity, high 2. In the field of industrial application, the external research organization has developed new equipment and performance evaluation methods, and good results have been obtained. 3 kinds of samples prepared for p-type Cu contamination, acidified film growth, rapid cooling after dispersion, and treatment (1), treatment (2), and intentional Cu contamination (3). The results show that the correlation between Cu and Cu in the system is significant and appropriate. The Cu alignment in the high temperature LSI is detected and analyzed according to the important characteristics. The results of this paper are published in the journal. 3. The migration of metals is determined by the determination of Fe levels and the amount of fine particles. The possibility of Fe impurity formation has been revealed by the International Society for the Study of Fe Impurity.