セリウム化合物の純良単結晶育成と量子臨界点近傍での電子状態の研究

铈化合物纯单晶的生长及量子临界点附近电子态的研究

• 批准号: 03J52741
• 负责人: 植田 泰輝
• 金额: $ 1.66万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2003
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2003 至 2005
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03J52741/
• 关键词: 重い電子系; CePtAl; dHvA; 高圧; CeRhGe; 磁性; 電気抵抗

セリウム化合物の4f電子は伝導電子との混成を通して、価数揺動、重い電子系、異方的超伝導など多様な現象をひき起こすことで知られている。これらの現象はRKKY相互作用と近藤効果が拮抗した常圧もしくは加圧下の量子臨界点近傍で確認されている。本研究で圧力下で異常な抵抗増大を示すことを明らかにした反強磁性体CeRhGeと同じTiNiSi型の結晶構造を持ち、Ce化合物としては珍しく強磁性を示すCePtAlについて研究を行なった。これまでの圧力下の電気抵抗測定において、強磁性体CePtAlは狭い臨界圧力の範囲で一次の相転移を思わせる変化を示すことを明らかにした。すなわち磁気秩序が消失し、フェルミ液体的な電気抵抗に変貌する。今年度の研究では単結晶育成を数度試みた結果、残留抵抗比が100を超える極めて純良なCePtAlの単結晶が得られた。この試料とダイヤモンドアンビルセルを用いて、交流法により圧力下での比熱測定を行なった。圧力とともに強磁性転移温度T_c=5.9Kは高温へとシフトし、約10GPaでT_cは消失した。さらに常圧下でde Haas-van Alphen(dHvA)効果測定によるCePtAlのフェルミ面の研究を行なった。CePtAlのフェルミ面はバンド計算によるLaPtAlのフェルミ面と類似のフェルミ面であり、それは多重連結構造の比較的小さなフェルミ面であることが分かった。また、サイクロトロン有効質量は数m_0程度と比較的大きいことも分かった。

の セ リ ウ ム compounds 4 f electronic は 伝 guide electronic と の composite を tong し て, 価 揺 move, heavy い an electronics, square super 伝 guide な ど others more な phenomenon を ひ き up こ す こ と で know ら れ て い る. こ れ ら の phenomenon は RKKY interaction と kondo unseen fruit が antagonism し た often 圧 も し く は plus 圧 の quantum critical point under nearly alongside で confirm さ れ て い る. This study で で abnormal な resistance under pressure raised large を す こ と を Ming ら か に し た against strong magnetic body CeRhGe と with じ TiNiSi の crystal structure type を hold ち, Ce compounds と し て は Jane し く strong magnetic を shown す CePtAl に つ い て を line な っ た. こ れ ま で の の electric 気 under pressure resistance measurement に お い て, strong magnetic body CePtAl は narrow い critical pressure の van 囲 で planning a の phase shift を think わ せ る variations change を shown す こ と を Ming ら か に し た. The すなわち magnetic order が disappears が, フェ な が the な electrical resistance of a liquid に changes する. Our の research で は 単 crystallization bred を try several degrees み た results, residual resistance than が 100 を え る extremely め て virtuous な CePtAl の 単 crystallization が must ら れ た. こ の sample と ダ イ ヤ モ ン ド ア ン ビ ル セ ル を with い て, communication method に よ り under pressure で の specific heat measurement line を な っ た. Pressure とと とと に strong magnetic 転 shift temperature T_c=5.9K <s:1> high temperature へとシフト <e:1>, approximately 10GPaでT_c た disappearance た た. さ ら に often 圧 で DE Haas - van Alphen (dHvA) determination of unseen fruit に よ る CePtAl の フ ェ ル ミ surface の を line な っ た. CePtAl の フ ェ ル ミ surface は バ ン ド computing に よ る LaPtAl の フ ェ ル ミ surface と similar の フ ェ ル ミ surface で あ り, そ れ は multiple link structure の is little さ な フ ェ ル ミ surface で あ る こ と が points か っ た. The larger of the また, サ, サ, <s:1>, ロトロ, <s:1> effective mass サ number, m_0 degree と comparison, った, った, と, <s:1> score, った, った.

项目成果

Effect of pressure on electronic state in canted ferromagnet CePtAl

压力对倾斜铁磁体 CePtAl 中电子态的影响

• 发表时间: 2005
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan Vol.74
• 作者: Cheng X;Zhang Y;Kotani N;Watanabe T;Lee S;Kawashima I;Tai T;Taniguchi N;Honke K;Taiki Ueda;Taiki Ueda;Taiki Ueda
• 通讯作者: Taiki Ueda

Magnetic property and pressure effect of a single crystal CeRhGe

单晶CeRhGe的磁性能和压力效应

• 发表时间: 2005
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan 74
• 作者: S. Kimura;M. Hagiwara;H. Ueda;Y. Narumi;K. Kindo;H. Yashiro;T. Kashiwagi;H. Takagi;N.Terada;S.Kimura;N.Oba;Y.Narumi;A.A.Belik;H.Kageyama;J.Strecka;Y.Inagaki;T.Ueda
• 通讯作者: T.Ueda

Electronic,magnetic and superconducting properties of quasi-two dimensional compounds Ce2RhIn8 and La2RhIn8

准二维化合物Ce2RhIn8和La2RhIn8的电子、磁学和超导性能

• 发表时间: 2004
• 期刊: Journal of Physics;Condensed Matter 16
• 作者: M.Nishiyama;Y.Inada;G.Q.Zheng;H.Shishido et al.;T.Ueda et al.
• 通讯作者: T.Ueda et al.

Pressure-induced huge resistivity peak and magnetism in CeRhGe

CeRhGe 中压力引起的巨大电阻率峰值和磁性

• 发表时间: 2005
• 期刊: Physica B Vol.359-361
• 作者: Cheng X;Zhang Y;Kotani N;Watanabe T;Lee S;Kawashima I;Tai T;Taniguchi N;Honke K;Taiki Ueda;Taiki Ueda
• 通讯作者: Taiki Ueda