权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シリコンナノチューブの構造と物性に関する第一原理シミュレーション計算

硅纳米管结构和物理性能的第一性原理模拟计算

基本信息

批准号：
04F04367
负责人：
川添良幸
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04F04367/
关键词：
半導体ナノワイヤーナノエレクトロニクス密度汎巻数法ナノセンター表面再構成水素化シリコンナノワイヤーオプトエレクトロニクスフォトニクス第一原理計算クラスターナノチューブナノワイヤー表面物理半導体表面電子状態バンドギャップエンジニアリング

项目摘要

[110]に配向したシリコンナノワイヤーの第一原理計算を行い、これらのシリコンナノワイヤーは間接遷移型のバンドギャップを持つことを初めて明らかにした。これらのナノワイヤーはバルクシリコンの構造をコアに持ち、(100)と(110)面の結合を二つもっている。さらに(100)面はバルクの(100)面と同じダイマー化を起こすことを示した。そのダイマーは互いに垂直な方向を向いている。これらの情報はシリコンナノワイヤーの性質を理解する上で有益で、この興味深い結果は太いナノワイヤーの多形(同質異像)の可能性を示した。しかしこれは半導体の性質には影響を与えない。これらの結果はナノデバイスの要素としてシリコンナノワイヤーを使う上で有益な情報である。平均直径、形状、配向によって変化させた水素化シリコンナノワイヤーの電子状態と原子構造について計算を行った。多くのシリコンナノワイヤーは大きな間接遷移バンドギャップを持ち、シリコンベースのナノオプトエレクトロニクス材料となる可能性を示した。直径の減少とともにバンドギャップは大きくなり、それはシリコンナノワイヤーの形状に強く依存することを明らかにした。実験による正確な形状の決定は光学材料として重要である。[112]方向のシリコンナノワイヤーの計算結果は最近の実験結果と一致していた。さらに水素濃度を調整することにより、p型n型の半導体の実現が可能となることを示せた。

[110]The first principle calculation of the alignment is carried out in the middle of the calculation, and the first principle calculation of the alignment is carried out in the middle of the calculation. The structure of the (100) and (110) planes is different. The (100) face is the same as the (100) face. In the vertical direction, This information is useful for understanding the nature of the image, and interesting for showing the possibility of polymorphism. The properties of semiconductors are affected by the temperature. The result is that the elements of the game are useful. Average diameter, shape, alignment, etc., change in the electronic state, atomic structure, etc. The possibility of indirect migration of materials is shown. The diameter of the tube is reduced, and the shape of the tube is increased. It is important to determine the correct shape of the optical material. [112]The calculation results of the direction are consistent with those of the latest calculation. It is possible to adjust the concentration of water in p-type and n-type semiconductors.

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Structure of the Thinnest Most Stable Semiconducting and Insulating Nanotubes of SiO_x(x=1,2)

最薄最稳定的半导体绝缘SiO_x(x=1,2)纳米管的结构

DOI：
发表时间：
2005
期刊：
Phys.Rev.B 72[15]
影响因子：
0
作者：
L.Qian;H.Toda;K.Uesugi;T.Kobayashi;T.Ohgaki;M.Kobayashi;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh
通讯作者：
Abhishek Kumar Singh

Stabilizing the silicon fullerene Si20 by thorium encapsulation

DOI：
10.1103/physrevb.71.115429
发表时间：
2005-03
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
A. Singh;Vijay Kumar;Y. Kawazoe
通讯作者：
A. Singh;Vijay Kumar;Y. Kawazoe

Pristine semiconducting [110] silicon nanowires.

DOI：
10.1021/nl051739f
发表时间：
2005-10
期刊：
Nano letters
影响因子：
10.8
作者：
A. Singh;Vijay Kumar;R. Note;Y. Kawazoe
通讯作者：
A. Singh;Vijay Kumar;R. Note;Y. Kawazoe

Cluster Assembled Direct Band Gap Semiconducting Nanotube of Germanium with Metal Encapsulation

金属封装团簇组装直接带隙半导体纳米管锗

DOI：
发表时间：
2004
期刊：
Nanjing China
影响因子：
0
作者：
L.Qian;H.Toda;K.Uesugi;T.Kobayashi;T.Ohgaki;M.Kobayashi;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh;Abhishek Kumar Singh
通讯作者：
Abhishek Kumar Singh

Ferromagnetism and piezomagnetic behavior in Mn-doped germanium nanotubes

DOI：
10.1103/physrevb.69.233406
发表时间：
2004-06
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
A. Singh;Vijay Kumar;Y. Kawazoe
通讯作者：
A. Singh;Vijay Kumar;Y. Kawazoe

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

川添良幸其他文献

Ab Initio Study on the Quantum Dot Organic Ligand Interface : Effect of corer Structure in Cytotoxity

量子点有机配体界面的从头算研究：核心结构对细胞毒性的影响

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
BELOSLUDOV ladimir R.;SUBBOTIN Oleg S.;KRUPSKII Dmitrii S.;BELOSLUDOV Rodion V.;KAWAZOE Yoshiyuki;KUDOH Jun-Ichi;R. V. Belosludov;V.R.Belosludov;T.M.Inerbaev;O.S.Subbotin;O.S.Subbotin;水関博志;西松毅;BELOSLUDOV R. V.;川添良幸;川添良幸;BELOSLUDOV R. V.;水関博志;水関博志;BELOSLUDOV R.V.;BELOSLUDOV R. V.
通讯作者：
BELOSLUDOV R. V.

計算科学の実態と将来像

计算科学的现状和未来愿景

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuji Arishige;K. Tadanaga;A. Hayashi;M. Tatsumisago;川添良幸;川添良幸
通讯作者：
川添良幸

真の第一原理計算による基礎物理理解と応用展開

通过真正的第一原理计算理解基本物理并进行应用开发

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuji Arishige;K. Tadanaga;A. Hayashi;M. Tatsumisago;川添良幸;川添良幸;川添良幸
通讯作者：
川添良幸

What can we simulate by TOMBO

TOMBO可以模拟什么

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kaoru Ohno;Riichi Kuwahara;Shota Ono;Hitoshi Adachi;Yoshifumi Noguchi;Marcel H. F. Sluiter;Ryoji Sahara and Yoshiyuki Kawazoe;川添良幸;川添良幸;川添良幸;川添良幸
通讯作者：
川添良幸

Theoretical Study on Transport Properties of One-Dimen Nanosystems

一维纳米系统输运性质的理论研究

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
BELOSLUDOV ladimir R.;SUBBOTIN Oleg S.;KRUPSKII Dmitrii S.;BELOSLUDOV Rodion V.;KAWAZOE Yoshiyuki;KUDOH Jun-Ichi;R. V. Belosludov;V.R.Belosludov;T.M.Inerbaev;O.S.Subbotin;O.S.Subbotin;水関博志;西松毅;BELOSLUDOV R. V.;川添良幸;川添良幸;BELOSLUDOV R. V.
通讯作者：
BELOSLUDOV R. V.