Bedeckungsabhängige/adsorbatinduzierte Halbleiterübergänge und Xe-NMR auf Einkristalloberflächen

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In Ergänzung zu b-NMR-Experimenten sind Photoemissionsexperimente an der Lithium-induzierten (3x1)-Rekonstruktion der Si(111)-Oberfläche an der Synchrotron-Strahlungsquelle in Wisconsin mit dem dortigen hochauflösenden Elektronenspektrometer geplant. Zusätzlich sollen die bereits in Madison gemessenen Relaxivitäten von 129Xe in verschiedenen Glas-Metall-Zellen unter dem Aspekt, T1-Zeiten zu extrahieren, analysiert und wenn nötig, ergänzende Messungen an Zellen mit Halbleiter- oder Metalloxidbeschichtung durchgeführt werden.